[发明专利]一种基于高纵横比波导的二维材料电光调制器在审
| 申请号： | 202110382361.7 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113093408A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王俊嘉;缪庭;孙小菡;董纳;樊鹤红;柏宁丰;刘旭;沈长圣 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纵横 波导 二维 材料 电光 调制器 | ||
1.一种基于高纵横比波导的二维材料电光调制器，其特征在于，包括衬底层(1)、硅光波导(2)、电介质填充层(3)、第一二维材料层(4)、第二二维材料层(5)、第一金属层(6)、第二金属层(7)；
所述硅光波导(2)结构掩埋在衬底层(1)上，硅光波导(2)为高纵横比波导结构；在所述硅光波导(2)及衬底层上覆盖第一二维材料层(4)，所述电介质填充层(3)沉积在所述第一二维材料层(4)上，在所述电介质填充层(3)上覆盖第二二维材料层(5)，所述第一二维材料层(4)与第二二维材料层(5)仅在所述硅光波导(2)上方重叠，所述第一金属层(6)与第二金属层(7)分别沉积在所述第一二维材料层(4)上方靠右侧和所述第二二维材料层(5)上方靠左侧，在所述第二二维材料层(5)上继续沉积电介质，并与所述电介质填充层(3)形成整体结构。
2.根据权利要求1所述的基于高纵横比波导的二维材料电光调制器，其特征在于，所述第一二维材料层(4)和第二二维材料层(5)采用的二维平面材料为石墨烯或过渡金属硫化物。
3.根据权利要求1所述的基于高纵横比波导的二维材料电光调制器，其特征在于，位于所述第一二维材料层(4)和第二二维材料层(5)中间的所述电介质填充层(3)部分的厚度小于等于10nm，材料为氧化铪或氧化铝。
4.根据权利要求1所述的基于高纵横比波导的二维材料电光调制器，其特征在于，所述硅光波导(2)满足单模工作条件，纵横比10:1；所述硅光波导(2)满足截止条件，波导中的传播模式截止。
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