[发明专利]硅晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种外延晶片，包括：

外延层；和

块体微缺陷（BMD）层，其中由可视化处理产生的氧沉淀的第一平均密度与由第二处理产生的氧沉淀的第二平均密度之比在大约0.92至0.97的范围中，

其中，所述可视化处理是在大约1000℃下加热所述晶片达16小时，并且所述第二处理是在大约780℃下加热所述晶片达3小时且之后在大约1000℃下加热所述晶片达16小时。

2.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，所述第二平均密度与所述第一平均密度的第二比在大约1.04至1.09的范围中。

3.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，所述外延层具有在大约2至10 μm的范围中的宽度。

4.根据权利要求3所述的外延晶片，还包括在所述BMD层和所述外延层之间的洁净区。

5.根据权利要求4所述的外延晶片，其中，所述外延层和所述洁净区的组合宽度在大约15至90 μm的范围中。

6.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，氧沉淀的最大密度与氧沉淀的最小密度之比在大约1.25至1.30的范围中，其中，所述最大密度和所述最小密度中的每一个均在所述BMD层中以大约5 mm的间隔从所述晶片的中心到边缘沿任意径向方向取得。

7.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，所述可视化处理是加热所述晶片的第一部分并且所述第二处理是加热所述晶片的第二部分。

8.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，在所述可视化处理和/或所述第二处理之后所述BMD层中氧沉淀的平均密度是大约4×10⁸/cm³或更大。

9.根据权利要求1所述的外延晶片，其中，所述比在大约0.94至0.97的范围中。

10.一种晶片，其基本没有晶源粒子缺陷，所述晶片包括：

块体微缺陷（BMD）层，其中由第一处理产生的氧沉淀的第一平均密度与由第二处理产生的氧沉淀的第二平均密度之比在大约0.82至1.02的范围中，

其中，所述第一处理是在大约1150℃下加热所述晶片达2分钟且之后在大约950至1000℃之间加热所述晶片达16小时，并且所述第二处理是在大约780℃下加热所述晶片达3小时且之后在大约950至1000℃之间加热所述晶片达16小时。

11.根据权利要求10所述的晶片，其中，所述第二平均密度与所述第一平均密度的第二比在大约0.98至1.22的范围中。

12.根据权利要求10所述的晶片，还包括在所述BMD层和所述晶片的表面之间的洁净区。

13.根据权利要求12所述的晶片，其中，所述洁净区具有在大约15至90 μm的范围中的宽度。

14.根据权利要求10所述的晶片，其中，氧沉淀的最大密度与氧沉淀的最小密度之比在大约1.24至1.33的范围中，其中，所述最大密度和所述最小密度中的每一个均在所述BMD层中以大约5 mm的间隔从所述晶片的中心到边缘沿任意径向方向取得。

15.根据权利要求10所述的晶片，其中，所述第一处理是加热所述晶片的第一部分并且所述第二处理是加热所述晶片的第二部分。

16.根据权利要求10所述的晶片，其中，在所述第一处理和/或所述第二处理之后所述BMD层中氧沉淀的平均密度是大约4×10⁸/cm³或更大。