[发明专利]导电结构电性缺陷分析方法、电性参数分析方法及系统

权利要求书

1.一种导电结构电性参数分析方法，其特征在于，包括：

根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构，所述导电结构由多个线形前序图形结构形成，各所述前序图形结构分别对应不同的图形化工艺；

获取任一所述前序图形结构的图案化参数，所述图案化参数包括所述前序图形结构的宽度、相邻两个所述前序图形结构的间距及线宽粗糙度；

根据各所述前序图形结构的宽度的均值及线宽粗糙度计算各所述前序图形结构中宽度最小的前序图形结构的宽度值；

根据宽度最小的前序图形结构的宽度值及各所述前序图形结构的宽度的均值计算所述前序图形结构的宽度占比；

根据所述前序图形结构的宽度占比计算所述导电结构的电阻变化值；

根据各所述前序图形结构中相邻两个所述前序图形结构的间距的均值及线宽粗糙度计算各所述前序图形结构中相邻两个所述前序图形结构的最大间距；

根据所述最大间距及各所述前序图形结构中相邻两个所述前序图形结构的间距的均值计算所述前序图形结构的间距占比；

根据所述前序图形结构的间距占比计算所述导电结构的电容变化值；

根据所述电阻变化值和所述电容变化值计算所述前序图形结构的图案化参数对所述导电结构的导电速率变化值；

对每一道所述图形化工艺后形成的所述前序图形结构的所述导电速率变化值进行计算；

筛选出对所述导电结构的导电速率变化值影响最大的所述图形化工艺。

2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述电阻变化值和所述电容变化值计算所述前序图形结构的图案化参数对所述导电结构的导电速率变化值包括：

通过第一公式计算所述导电速率变化值，所述第一公式为：

V_delay＝[1-(1-R_increase)×(1-C_increase)]×100

其中，V_delay为导电速率变化值，R_increase为电阻变化值，C_increase为电容变化值。

3.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述前序图形结构的宽度占比计算所述导电结构的电阻变化值，包括：

通过第二公式计算所述电阻变化值，所述第二公式为：

R_increase＝(CD_barratio-1)×100

其中，R_increase为电阻变化值，CD_barratio为前序图形结构的宽度占比。

4.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述前序图形结构的间距占比计算所述导电结构的电容变化值，包括：

通过第三公式计算所述电容变化值，所述第三公式为：

C_increase＝(CD_spaceratio-1)×100

其中，C_increase为电容变化值，CD_spaceratio为前序图形结构的间距占比。

5.根据权利要求4所述的分析方法，其特征在于，所述根据各所述前序图形结构的宽度的均值及线宽粗糙度计算各所述前序图形结构中宽度最小的前序图形结构的宽度值，包括：

根据第四公式计算各所述前序图形结构中宽度最小的前序图形结构的宽度值，所述第四公式为：

其中，CD_barmin为最小的前序图形结构的宽度值，CD_bar为前序图形结构的宽度的均值，R为线宽粗糙度。