[发明专利]一种P型双面PERC太阳电池及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、将P型硅片清洗、抛光，去除表面机械损伤；

S2、对硅片的背面进行单面硼扩散；

S3、在硅片的背面沉积一层氮化硅保护膜；

S4、对硅片的正面进行清洗制绒；

S5、对硅片进行清洗刻蚀，去除硅片背面的氮化硅保护膜；

S6、将硅片放入LPCVD设备中，通过LPCVD方式在硅片的正面和背面均沉积超薄氧化硅层；接着通过硅烷热分解在硅片正面沉积多晶硅层；随后高温磷扩散掺杂硅片正面的多晶硅层形成掺杂N型多晶硅层，得到形成全面积钝化接触的PN结的硅片；

S7、在硅片的正面沉积氮化硅减反射层；

S8、在硅片的背面沉积一层氧化铝层；

S9、在硅片的背面沉积一层氮化硅薄膜层；

S10、将硅片的正面和背面均制作电极。

2.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S6中，将硅片放入LPCVD设备中，通过LPCVD方式在硅片的正面、背面以及周边均沉积厚度在1.5-3nm的超薄氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S6中，高温磷扩散掺杂硅片正面的多晶硅层形成掺杂N型多晶硅层后，通过退火提高多晶硅的晶化度，并充分激活磷离子得到具有N型多晶硅层，退火温度在780度，将该N型掺杂多晶硅与衬底P型硅，从而得到形成全面积钝化接触的PN结的硅片。

4.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S6中，通过硅烷热分解在硅片正面沉积多晶硅层时，沉积温度为610℃，沉积时间为3-5min，对应的沉积的多晶硅层厚度为20～30nm。

5.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S2中，将S1抛光后的硅片以两两背靠背放置在高温低压扩散炉中，在高温低压扩散炉中进行硼扩散。

6.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S2中，硼扩散的硼源采用三溴化硼，经过S2处理，在硅片背面形成表面薄层方阻在40-80Ω/㎡的P+背场。

7.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S2中的硅片硼扩散处理完成后，将其进行HF清洗，去除表面硼硅玻璃后再进行S3。

8.根据权利要求1所述的一种P型双面PERC太阳电池制备方法，其特征在于：所述S3中，使用PECVD的方式对硅片背面沉积一层氮化硅保护膜，所述氮化硅保护膜的厚度为60-120nm。

9.一种基于权利要求1～8中任一项所述方法制备的P型双面PERC太阳电池。

10.一种基于权利要求1～8中任一项所述方法制备的P型双面PERC太阳电池在太阳能转化为电能中的应用。