[发明专利]光电传感器及其制备方法、测距装置在审
申请号: | 202110383894.7 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113050110A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 孙塔;李碧洲 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(江苏)有限公司 |
主分类号: | G01S17/08 | 分类号: | G01S17/08;G01S7/481;G01C3/00;G01C3/02;G02B7/02;G02B19/00 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
地址: | 214135 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 及其 制备 方法 测距 装置 | ||
1.一种光电传感器,其特征在于,包括:
基底;
光学元件,位于所述基底上;
第一透镜,位于所述光学元件远离所述基底的一侧;
第二透镜,位于所述第一透镜远离所述基底的一侧;
遮光罩,位于所述基底的上方,且罩在所述光学元件与所述第一透镜上方;所述遮光罩包括第一通孔,所述第二透镜至少部分位于所述第一通孔中,且与所述遮光罩连接。
2.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述第二透镜与所述遮光罩一体成型,或者,所述第二透镜与所述遮光罩卡接连接,或者,所述第二透镜粘贴在所述遮光罩上。
3.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述第一透镜的第一光轴与所述第二透镜的第二光轴重合;
所述第一透镜至少部分位于所述第一通孔中。
4.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述第二透镜远离所述基底的第一表面比所述遮光罩远离所述基底的第二表面更接近所述基底。
5.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述光学元件位于所述第一透镜与所述第二透镜组成的透镜组的焦点上。
6.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述光学元件为感光元件;所述光电传感器还包括发光元件与挡光墙,所述发光元件位于所述基底上,所述挡光墙位于所述感光元件与所述发光元件之间。
7.一种光电传感器的制备方法,其特征在于,包括:
将光学元件固定在基底上;
形成第一透镜,所述第一透镜位于所述光学元件远离所述基底的一侧;
形成第二透镜与遮光罩,所述第二透镜位于所述第一透镜远离所述基底的一侧,所述遮光罩位于所述基底的上方,且罩在所述光学元件与所述第一透镜上方;所述遮光罩包括第一通孔,所述第二透镜至少部分位于所述第一通孔中,且与所述遮光罩连接。
8.根据权利要求7所述的光电传感器的制备方法,其特征在于,所述形成第二透镜与遮光罩,包括:
采用注塑成型工艺制备第二透镜;
采用注塑成型工艺制备所述遮光罩,且将所述第二透镜与所述遮光罩一体成型;
将所述遮光罩固定在所述基底的上方,且罩在所述光学元件与所述第一透镜上方。
9.根据权利要求7所述的光电传感器的制备方法,其特征在于,所述遮光罩包括透明层与遮光层,所述透明层与所述第二透镜一体成型,所述遮光层位于所述透明层远离所述基底的一侧;
所述形成第二透镜与遮光罩,包括:
采用注塑成型工艺制备所述第二透镜与所述透明层;
采用喷镀工艺在所述透明层的外侧制备所述遮光层,得到所述遮光罩;
将所述遮光罩固定在所述基底的上方,且罩在所述光学元件与所述第一透镜上方,所述透明层的外侧位于所述透明层远离所述基底的一侧。
10.根据权利要求7所述的光电传感器的制备方法,其特征在于,所述形成第二透镜与遮光罩,包括:
采用注塑成型工艺制备第二透镜;
采用注塑工艺制备所述遮光罩;
采用压合工艺将所述第二透镜将装配在所述遮光罩上,所述第二透镜与所述遮光罩卡接连接;
将所述遮光罩固定在所述基底的上方,且罩在所述光学元件上方。
11.根据权利要求7所述的光电传感器的制备方法,其特征在于,还包括:
采用压合工艺将所述第一透镜将装配在所述遮光罩上,所述第一透镜与所述遮光罩卡接连接。
12.一种测距装置,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的光电传感器。
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