[发明专利]一种半导体激光器波长锁定方法

权利要求书

1.一种半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，包括：

第一步骤：提供半导体激光器和体光栅，半导体激光器底部设置有散热板；

第二步骤：在半导体激光器在工作电流以及散热板在工作温度下，测试半导体激光器的第一中心波长，若第一中心波长在体光栅的波长锁定范围内时，则进行第三步骤；

第三步骤：调节半导体激光器中的电流至第一电流，第一电流小于半导体激光器的工作电流，并保持散热板处于工作温度的条件下，测试半导体激光器的第二中心波长；

第四步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流的条件下，调节半导体激光器底部的散热板的温度至测试温度，使得半导体激光器发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值；

第五步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流且散热板的温度为测试温度的条件下，调节体光栅的角度直至从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述第一阈值为0纳米～0.5纳米。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，第三中心波长位于所述波长锁定范围的一个边界。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述体光栅的波长锁定范围为(λ₀－K)～(λ₀+K)；λ₀为体光栅锁定的中心波长；第三中心波长为λ₀－K；

当第三中心波长为λ₀－K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：

T_test为测试温度，T₀为工作温度，λ₂为第二中心波长，A为半导体激光器发出激光的中心波长的变化与散热板温度变化的比值。

5.根据权利要求3所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述体光栅的波长锁定范围为(λ₀－K)～(λ₀+K)；λ₀为体光栅锁定的中心波长；第三中心波长为λ₀+K；

当第三中心波长为λ₀+K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：

T_test为测试温度，T₀为工作温度，λ₂为第二中心波长，A为半导体激光器发出激光的中心波长的变化与散热板温度变化的比值。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述半导体激光器具有阈值电流，所述第一电流为所述阈值电流的3倍～4倍。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，还包括：第六步骤：进行第五步骤之后，将散热板的温度调节至工作温度，将半导体激光器的电流调节至工作电流。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，还包括：第七步骤：进行第六步骤之后，测试波长锁定效果，若第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中出现旁瓣，则重复第三步骤至第六步骤，直至第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。

9.根据权利要求4或5所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述体光栅具有峰值衍射效率；所述半导体激光器的前腔面适于出射激光；根据所述前腔面的反射率和所述峰值衍射效率获取K的取值。