[发明专利]一种热电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110384966.X | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113285011A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郑壮豪;范平;敖冬威;魏萌;李甫;陈跃星;梁广兴;陈烁 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯 |
| 地址： | 518061 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在第一衬底上制备硫族单质薄膜；
在第二衬底上制备金属薄膜，所述金属为铋、锡和锑中的一种或多种；
将所述硫族单质薄膜与所述金属薄膜叠加，得到叠加膜层；
在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理，制得所述热电薄膜。
2.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜为金属单质薄膜或金属合金薄膜。
3.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫族单质薄膜为硫单质薄膜、硒单质薄膜和碲单质薄膜中的一种。
4.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为300-500℃。
5.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热处理的时间为15-120min。
6.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫族单质薄膜为硒单质薄膜，所述金属薄膜为铋单质薄膜。
7.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理，制得所述热电薄膜的步骤中，还包括：
在垂直所述叠加膜层的方向上施加压力。
8.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底独立地选自玻璃、硅片和有机薄片中的一种。
9.根据权利要求1所述热电薄膜的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法在所述第一衬底上制备硫族单质薄膜；和/或，采用物理气相沉积方法或化学气相沉积方法在所述第二衬底上制备金属薄膜。
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