[发明专利]一种空穴传输型主体材料及其制备方法与在制备有机电致发光器件中的应用有效
申请号: | 202110385304.4 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113214254B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 苏仕健;梁秋敏;刘坤坤;王志恒;李伟 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C07D471/10 | 分类号: | C07D471/10;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空穴 传输 主体 材料 及其 制备 方法 有机 电致发光 器件 中的 应用 | ||
1.一种空穴传输型主体材料,其特征在于,具有如式(Ⅰ)所示的结构通式:
其中Ar为
2.根据权利要求1所述的一种空穴传输型主体材料,其特征在于,所述空穴传输型主体材料的分子结构为以下中的任意一种:
3.权利要求1或2所述的一种空穴传输型主体材料在制备电致发光器件中的应用。
4.根据权利要求3所述的一种空穴传输型主体材料在制备电致发光器件中的应用,其特征在于,所述空穴传输型主体材料作为空穴传输层。
5.根据权利要求3所述的一种空穴传输型主体材料在制备电致发光器件中的应用,其特征在于,所述空穴传输型主体材料与电子传输材料组成激基复合物作为发光层或发光层中的主体材料。
6.根据权利要求5所述的一种空穴传输型主体材料在制备电致发光器件中的应用,其特征在于,所述的电子传输材料,其分子结构为以下SF3-TRZ、T2T、TmPyPB、B3PyPB、B3PyMPM和B4PYMPM中的任意一种:
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