[发明专利]利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法

权利要求书

1.一种利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一红外材料，所述红外材料上形成有台面掩膜；

采用电感耦合等离子体法刻蚀所述红外材料；

采用干法刻蚀或湿法腐蚀去除所述台面掩膜，以形成带有台面结构的红外材料；

在所述带有台面结构的红外材料上淀积电介质薄膜，以形成带有台面结构的钝化层；

根据所述带有台面结构的钝化层的台面侧壁的厚度，对所述带有台面结构的钝化层进行元素掺杂；

对所述带有台面结构的钝化层进行元素掺杂后，进行快速热退火处理，得到利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器；

其中，所述电介质薄膜为SiO₂或Si_xN_y；

所述元素掺杂是掺杂能替代所述电介质薄膜中硅元素而形成受主杂质的元素。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述台面掩膜包括SiO₂台面掩膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在采用电感耦合等离子体法刻蚀所述红外材料后，所述台面掩膜的剩余厚度为0～400nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括电感耦合等离子体刻蚀、反应离子刻蚀；所述湿法腐蚀为氢氟酸、氟化铵和去离子水配制成的腐蚀液进行化学腐蚀。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述带有台面结构的红外材料的台面侧壁与水平台面所成夹角θ在70°～80°之间。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电介质薄膜的厚度为500～1500nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对带有台面结构的钝化层进行元素掺杂通过离子注入的方式实现，所述离子注入的注入剂量在5×10¹⁰～10¹⁴cm^-2之间；

其中，所述快速热退火的条件根据所述离子注入的注入剂量决定，退火温度小于等于400℃，退火时长小于等于100s。

8.一种利用权利要求1至7中任一项所述的制备方法得到的探测器。