[发明专利]一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件

权利要求书

1.一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于该器件以P型衬底（1）为衬底，在P型衬底（1）的上方设有高压N型区（2），在高压N型区（2）内设有P型体区（11）和左右对称设置的第一N型漂移区（3A）、第二N型漂移区（3B），在第一N型漂移区（3A）、第二N型漂移区（3B）内分别设有第一 N型漏区（4A）、第二 N型漏区（4B），在第一N型漏区（4A）、第二N型漏区（4B）上分别设有第一漏极金属接触（5A）、第二漏极金属接触（5B），在第一N型漂移区（3A）、第二N型漂移区（3B）表面分别设有第一场氧化层（6A）、第二场氧化层（6B），在第一场氧化层（6A）、第二场氧化层（6B）上方分别设有第一源级场板（7A）、第二源级场板（7B）；在P型体区（11）和第一N型漂移区（3A）、第二N型漂移区（3B）上表面还分别设有第一栅极氧化层（10A）、第二栅极氧化层（10B），在第一栅极氧化层（10A）、第二栅极氧化层（10B）上方分别覆盖有第一多晶硅栅极（8A）、第二多晶硅栅极（8B）；在P型体区（11）内设有N型源区（12）、第一P型源区（13A）、第二P型源区（13B）和沟槽多晶硅栅极（8C），所述沟槽多晶硅栅极（8C）位于N型源区（12）内，沟槽多晶硅栅极（8C）的槽底延伸至高压N型区（2），在N型源区（12）、第一P型源区（13A）和第二P型源区（13B）上分别设有第一源极金属接触（9A）、第二源极金属接触（9B）；

所述沟槽多晶硅栅极（8C）在器件宽度上等间隔分布，在器件长度方向上呈交错分布，第一P型源区（13A）和第二P型源区（13B）位于沟槽多晶硅栅极（8C）未交错区域并与沟槽多晶硅栅极（8C）相隔一定距离。

2.根据权利要求1所述的具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一P型源区（13A）和第二P型源区（13B）的宽度与沟槽多晶硅栅极（8C）宽度相同，第一P型源区（13A）靠近第一N型漏区（4A）和第二P型源区（13B）靠近第二N型漏区（4B）的边界分别与沟槽多晶硅栅极（8C）靠近第一N型漏区（4A）和第二N型漏区（4B）的边界齐平。

3.根据权利要求1所述的一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一源极金属接触（9A）为长方体状，在该长方体的中间设有一凹槽，第二源极金属接触（9B）为长方体状，在该长方体的中间设有一凸块，该凸块与所述的凹槽的位置相对。