[发明专利]一种镧锶锰氧薄膜制备方法

权利要求书

1.一种镧锶锰氧薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对铝酸镧基片使用丙酮、酒精、去离子水进行处理；

步骤2，将处理好的铝酸镧基片放入脉冲激光沉积系统真空腔室，通入保护混合气体，同时对基片进行加热；

步骤3，在真空腔室内准备好铝酸锶靶材，使用激光照射于铝酸锶靶材上产生等离子体羽辉，在铝酸镧基片上进行铝酸锶薄膜的沉积，沉积过程通过系统荧光屏进行原位监控；

步骤4，保持真空腔室内温度气压环境不变，对步骤3所得基片进行原位退火；

步骤5，更换镧锶锰氧靶材，采用如步骤3相同的方式在步骤4所得基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，沉积过程通过系统荧光屏进行原位监控；

步骤6，保持真空腔室温度气压环境不变，对步骤5所得基片进行原位退火，待薄膜自然冷却至室温后，停止通入保护气体；

步骤7，关闭脉冲激光沉积系统，取出基片，镧锶锰氧薄膜制备完成。

2.如权利要求1所述的一种镧锶锰氧薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1中对铝酸镧基片的处理方法为：首先将铝酸镧基片分别在丙酮、无水乙醇中超声清洗，然后将清洗后的基片在去离子水中浸泡。

3.如权利要求1所述的一种镧锶锰氧薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤2中的保护混合气体为氧气与臭氧的混合气体。

4.如权利要求1所述的一种镧锶锰氧薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤3中的激光源为KrF准分子激光器。