[发明专利]一种氟碘酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 202110389409.7 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113235160B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张弛;吴天辉;吴超 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;C30B29/22;C30B7/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碘酸 铈二阶 非线性 光学 晶体 材料 及其 制备 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种氟碘酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，该晶体材料化学式为CeF2(IO3)2；
该制备方法具体为：先取铈源、碘源、氟源、硫酸和水混合形成初始混合原料，再置于密封的水热条件下反应晶化，即得到目的产物；
所述的铈源为二氧化铈；所述的碘源为碘酸；所述的氟源为氢氟酸；
初始混合原料中，二氧化铈、碘酸、氢氟酸、硫酸和水的添加量之比为0.6 mmol: 1mmol: 3.5 mmol: 5 mmol: 1.5 mL；
水热条件的温度为200℃，晶化时间为72h。
2.根据权利要求1所述的一种氟碘酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，该晶体材料属于正交晶系，其空间群为
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