[发明专利]SSD异常掉电处理方法、装置、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.SSD异常掉电处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

扫描各个DIE中最后一个非空物理页，记为物理页A；

计算物理页A所在的物理层结构，记为物理层X；

读取物理层X中所有的物理页，并暂存于内存缓冲区中；

对暂存于内存缓冲区中物理层X内物理页A后剩余的空白页进行填充；

将物理层X内的有效数据依次写入物理层X+1的空白页中，并释放内存缓冲区；

其中，DIE：NAND独立并发模块，SSD内部由多个NANDDIE组成。

2.根据权利要求1所述的SSD异常掉电处理方法，其特征在于，所述计算物理页A所在的物理层结构，记为物理层X步骤中，计算的方式为A/4,取整数部分，整数部分即为X。

3.根据权利要求1所述的SSD异常掉电处理方法，其特征在于，所述对暂存于内存缓冲区中物理层X内物理页A后剩余的空白页进行填充步骤中，采用无效数据填充物理层X内物理页A后剩余的空白页。

4.根据权利要求1所述的SSD异常掉电处理方法，其特征在于，所述将物理层X内的有效数据依次写入物理层X+1的空白页中，并释放内存缓冲区步骤之后，还包括：获取主机读写请求，从物理层X+1中第一个可用的空白页依次写入主机新数据。

5.SSD异常掉电处理装置，其特征在于，包括：扫描单元，计算单元，读取暂存单元，填充单元，及写入释放单元；

所述扫描单元，用于扫描各个DIE中最后一个非空物理页，记为物理页A；

所述计算单元，用于计算物理页A所在的物理层结构，记为物理层X；

所述读取暂存单元，用于读取物理层X中所有的物理页，并暂存于内存缓冲区中；

所述填充单元，用于对暂存于内存缓冲区中物理层X内物理页A后剩余的空白页进行填充；

所述写入释放单元，用于将物理层X内的有效数据依次写入物理层X+1的空白页中，并释放内存缓冲区。

6.根据权利要求5所述的SSD异常掉电处理装置，其特征在于，所述计算单元中，计算的方式为A/4,取整数部分，整数部分即为X。

7.根据权利要求5所述的SSD异常掉电处理装置，其特征在于，所述填充单元中，采用无效数据填充物理层X内物理页A后剩余的空白页。

8.根据权利要求5所述的SSD异常掉电处理装置，其特征在于，还包括：获取写入单元，用于获取主机读写请求，从物理层X+1中第一个可用的空白页依次写入主机新数据。

9.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-4中任一项所述的SSD异常掉电处理方法。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时可实现如权利要求1-4中任一项所述的SSD异常掉电处理方法。