[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法

权利要求书

1.增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，在制备p型氮化物栅时，所述方法通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层，且所述方法还包括：

在外延结构的制备过程中，先在势垒层上沉积第一保护层，再在第一保护层上沉积p型氮化物层，其中，所述第一保护层采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料，且其厚度范围设置为1nm-5nm；

在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还包括对所述栅极区域以外的p型氮化物层进行刻蚀处理，直至所述栅极区域以外的p型氮化物层的残余厚度小于30nm，还在栅极区域的p型氮化物层上制备第二保护层，其中，所述第二保护层采用耐高温介质材料。

2.根据权利要求1所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，所述p型氮化物层为p-GaN层；

所述高温热脱附的温度范围为500℃-1000℃。

3.根据权利要求2所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，所述高温热脱附在高温处理设备中进行。

4.根据权利要求2所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，所述第一保护层为AlN层；

或所述第一保护层为AlGaN层，所述AlGaN层的Al组分在0.5-1之间。

5.根据权利要求2所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，所述第二保护层为耐高温介质层，其厚度范围为50nm-200nm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，所述在栅极区域的p型氮化物层上制备第二保护层实现为包括：

在将所述栅极区域以外的p型氮化物层刻蚀至残余厚度小于30nm之后，在p型氮化物层上制备第二保护层；

在所述栅极区域的第二保护层上覆盖掩膜层；以及

通过刻蚀处理去除所述栅极区域以外的第二保护层；

或者实现为包括：

在制备p型氮化物层之后，直接在p型氮化物层上制备第二保护层；以及

在对p型氮化物层进行刻蚀处理之前，定义栅极区域掩膜范围，通过刻蚀处理去除定义的栅极区域以外的第二保护层。

7.根据权利要求6所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，对所述栅极区域以外的p型氮化物层进行刻蚀处理，直至所述栅极区域以外的p型氮化物层的残余厚度小于30nm，是采用低功率干法刻蚀，或采用等离子氧化结合湿法腐蚀。

8.根据权利要求7所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法，其特征在于，所述湿法腐蚀采用的酸为稀盐酸，所述第二保护层采用耐稀盐酸腐蚀的材料。

9.增强型氮化物HEMT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S101：采用权利要求1至8任一项所述的增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法制得增强型HEMT的p型氮化物栅；

步骤S102：去除第二保护层，以及去除源电极区域和漏电极区域的第一保护层；

步骤S103：在源电极区域和漏电极区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极，在p型氮化物栅上制备栅电极。

10.根据权利要求9所述的增强型氮化物HEMT的制备方法，其特征在于，在步骤S103之后还包括

步骤S104：在源电极、漏电极、栅电极、p型氮化物栅和第二保护层的表面沉积绝缘介质层，并通过光刻和腐蚀工艺将所述绝缘介质层的与所述源电极、漏电极和栅电极对应的位置去除，直至露出所述源电极、漏电极和栅电极。