[发明专利]高性能图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种高性能图像传感器，其特征在于，包括像素结构，所述像素结构使用沟槽式通孔(218)连接上、下两层金属，该沟槽式通孔(218)与上层金属(220)形成与像素大小相同的网格，作为金属遮蔽结构。

2.根据权利要求1所述的高性能图像传感器，其特征在于，所述下层金属(209)上方设有SiN衬底(219)，所述金属遮蔽结构与所述SiN衬底(219)相连。

3.一种权利要求1或2所述的高性能图像传感器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在下层金属(209)制程之后，沉积一层SiN衬底(219)，作为像素区的沟槽式通孔(218)和逻辑区的金属孔(210)的终止层；

在孔刻蚀制程过程最后增加一步对SiN具有高选择比的蚀刻工艺，使沟槽式通孔(218)和金属孔(210)既与下层金属(209)链接，又停留在介质氧化层(215)上，形成金属遮蔽；

之后，在沟槽式通孔(218)上溅射上层金属(220)，并通过光刻形成相同宽度的金属遮蔽结构。