[发明专利]确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法在审
| 申请号： | 202110390415.4 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113282878A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 魏星;刘文凯;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/14 | 分类号： | G06F17/14;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 确定 单晶炉引晶 温度 方法 法制 单晶硅 | ||
1.一种确定单晶炉引晶温度的方法，其特征在于，所述方法包括：
引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度-时间曲线；
对所述温度-时间曲线进行傅里叶分析，得到频率-振幅曲线；
根据所述温度-时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率-振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率-振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断引晶温度是否稳定包括：
将得到的频率-振幅曲线中出现的振幅峰值的位置和振幅值与所述标准参考曲线中相应的振幅峰值的位置和振幅值进行比较，若所述频率-振幅曲线和所述标准参考曲线中振幅峰值的位置和振幅值相互对应，则引晶温度稳定。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
先判断所述频率-振幅曲线中出现振幅峰值的位置与所述标准参考曲线中相应的振幅峰值的位置是否对应；
若所述频率-振幅曲线和所述标准参考曲线中的振幅峰值相互对应，则进一步判断所述频率-振幅曲线中与所述标准参考曲线的中的特定振幅峰值的振幅值之间的差值是否在预设阈值之内，若在预设阈值之内，则引晶温度稳定，若超出所述预设阈值则引晶温度不稳定。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，判断所述频率-振幅曲线和所述标准参考曲线中振幅峰值是否相互对应包括：
若频率-振幅曲线中振幅峰值的位置与标准参考曲线中振幅峰值的位置的差值在设定阈值之内，则认定所述频率-振幅曲线和所述标准参考曲线中振幅峰值相互对应；
若频率-振幅曲线中振幅峰值的位置与标准参考曲线中振幅峰值的位置的差值在超出设定阈值，则认定频率-振幅曲线和所述标准参考曲线中振幅峰值不相互对应。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以预定时间间隔测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度-时间曲线。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述熔体的温度为测量时间点的温度或设定时间段内的平均温度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以预设时间间隔对得到的所述温度-时间曲线进行傅里叶分析，得到频率-振幅曲线。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，以预设时间间隔对之前任意一时间点得到的所述温度-时间曲线进行傅里叶分析，得到频率-振幅曲线。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔体温度无剧烈变化为所述熔体温度的变化差值在误差阈值范围之内。
10.一种直拉法制备单晶硅的方法，其特征在于，所述方法包括基于权利要求1至9之一所述的确定单晶炉引晶温度的方法确定引晶温度。
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