[发明专利]伪静态随机存储器PSRAM验证装置及其方法在审

专利信息
申请号: 202110390584.8 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113113074A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 王储;邢俊丰;钱永学;韩青双;马荣荣;孟浩;蔡光杰;黄鑫 申请(专利权)人: 广州昂瑞微电子技术有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 梁栋国
地址: 510670 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 静态 随机 存储器 psram 验证 装置 及其 方法
【说明书】:

一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置及其方法,所述装置包括:第一接口单元,用于连接先进高性能总线AHB代理单元和被测设备DUT;第二接口单元,用于连接伪静态随机存储器PSRAM代理单元和被测设备DUT;先进高性能总线AHB代理单元,用于按照AHB总线的协议产生激励并且将所产生的激励发送给被测设备DUT,以及将采集的相关第一接口数据发送到计分板单元;伪静态随机存储器PSRAM代理单元,用于模仿伪静态随机存储器PSRAM的行为,按照PSRAM协议与接口单元交互,并且将采集的相关第二接口数据发送到计分板单元;以及计分板单元,用来对接收的信号进行采样,并判断采样的信号是否与预期的配置一致。

技术领域

发明涉及芯片设计的功能验证装置和方法,尤其是伪静态随机存储器(PSRAM)和先进高性能总线(AHB)的相关验证装置和方法。

背景技术

近年来,随着数字芯片集成度的发展,其规模越来越大。芯片验证作为整个芯片生产流程中重要的一环,实现的是对芯片设计的调试(debug),其在节省流片成本、缩短芯片上市时间等方面具有重大的意义。

PSRAM全称Pseudo static random access memory,指的是伪静态随机存储器。它具有类SRAM的接口协议:给出地址、读、写命令,就可以实现存取。不像DRAM需要Memorycontroller来控制内存单元定期数据刷新。同时,它的内核使用的是DRAM架构:1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell,而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。因此,它兼具了SRAM和DRAM的优点,既具有类SRAM的接口,又可实现较大的存储容量。

先进高性能总线(AHB,Advanced High Performance Bus)是嵌入式系统互连方向高性能总线的标准。AHB的优点在于它可以将微控制器(CPU)、高带宽的片上RAM、高带宽的外部存储器接口、总线主控式DMA以及各种拥有AHB接口的控制器等等连接起来构成一个独立的完整的SoC系统。同时,它不局限于制造工艺技术和对应的核心处理器,能够移植到不同的设计当中。AHB开放性的总线标准使它能够将RISC处理器和其它的不同IP连接在一起实现通信。

由于伪静态随机存储器PSRAM作为IP经常嵌入SoC中使用,而AHB总线具有性能的优越性也被广泛应用到SoC中,所以将伪静态随机存储器PSRAM与AHB总线相结合的接口就尤为关键。

发明内容

本发明提出了一种基于UVM验证方法学的PSRAM接口验证装置及其方法。

本发明提出了一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置,包括:第一接口单元,用于连接先进高性能总线AHB代理单元和被测设备DUT;第二接口单元,用于连接伪静态随机存储器PSRAM代理单元和被测设备DUT;先进高性能总线AHB代理单元,用于按照AHB总线的协议产生激励并且将所产生的激励发送给被测设备DUT,以及将采集的相关第一接口数据发送到计分板单元;伪静态随机存储器PSRAM代理单元,用于模仿伪静态随机存储器PSRAM的行为,按照PSRAM协议与接口单元交互,并且将采集的相关第二接口数据发送到计分板单元;以及计分板单元,用来对接收的信号进行采样,并判断所采样的信号是否与预期的配置一致。

本发明提出了一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置,还包括参考模型单元,其被配置根据从AHB代理单元接收采集数据产生符合预定要求的第三数据,并且将所述第三数据发送给计分板单元。

本发明提出了一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置,所述AHB代理单元包括AHB序列发生器、AHB驱动器和AHB监视器,其中,AHB驱动器被配置为将从AHB序列发生器传送的数据按照AHB的协议发送到总线,以及其中,AHB监视器被配置为将从总线上采集的数据发送到参考模型单元。

本发明提出了一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置,还包括覆盖率收集COV单元,其被配置为用于收集功能覆盖率,其中,所述覆盖率收集COV单元对寄存器和读写数据格式进行覆盖率的收集。

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