[发明专利]一种含(BA)2

权利要求书

1.一种含(BA)₂Cs₅Pb₆Cl₁₉钙钛矿层的可见光盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括：

选取带有ITO电极阴极的玻璃衬底；

在所述ITO电极阴极上制备SnO₂电子传输层得到ITO/SnO₂基底；

在所述SnO₂电子传输层上制备PbCl₂薄膜得到ITO/SnO₂/PbCl₂基底；

利用CsCl和BACl水溶液在所述PbCl₂薄膜上制备(BA)₂Cs₅Pb₆Cl₁₉钙钛矿层得到ITO/SnO₂/(BA)₂Cs₅Pb₆Cl₁₉基底；

在所述(BA)₂Cs₅Pb₆Cl₁₉钙钛矿层上沉积碳电极阳极制备得到含(BA)₂Cs₅Pb₆Cl₁₉钙钛矿层的可见光盲紫外探测器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述选取带有ITO电极阴极的玻璃衬底包括：

将所述带有ITO电极阴极的玻璃衬底依次放入Decon-90水溶液、去离子水、无水乙醇中进行超声清洗；

将超声清洗过的带有ITO电极阴极的玻璃衬底放在UV-OZONE中处理15min～30min，得到带有ITO电极阴极的玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述ITO电极阴极上制备SnO₂电子传输层得到ITO/SnO₂基底包括：

将80μL的SnO₂溶胶在空气环境中以3000rpm的转速在UV-OZONE处理后的带有ITO电极阴极的玻璃衬底上旋涂30s；

将旋涂有SnO₂的带有ITO电极阴极的玻璃衬底置于热台上，并以空气氛围150℃退火30min制备SnO₂电子传输层，得到所述ITO/SnO₂基底。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述SnO₂电子传输层上制备PbCl₂薄膜得到ITO/SnO₂/PbCl₂基底包括：

将ITO/SnO₂基底放在紫外臭氧UV-OZONE中处理15min～30min；

取质量为278mg的PbCl₂固体溶于0.5mL的二甲基甲酰胺(DMF)和0.5mL的二甲基亚砜(DMSO)混合溶液，在90℃下搅拌混合溶液直至PbCl₂固体完全溶解得到PbCl₂溶液；

将在UV-OZONE处理后的ITO/SnO₂基底置于手套箱N₂环境中，并使用匀胶机将80μL浓度为278mg/mL的PbCl₂溶液以2000rpm的转速在ITO/SnO₂基底上旋涂30s；

将旋涂有PbCl₂溶液的ITO/SnO₂基底置于90℃热台上退火30min制备PbCl₂薄膜后，得到ITO/SnO₂/PbCl₂基底。