[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法

权利要求书

1.一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法，所述方法包括：

在基材上方形成光致抗蚀剂层；

将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案；以及

通过将显影剂施加至经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案，

其中所述光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物，

其中所述聚合物具有下式：

其中A₁、A₂和L独立地是直接键、C4-C30芳族基团、C4-C30烷基、C4-C30环烷基、C4-C30羟基烷基、C4-C30烷氧基、C4-C30烷氧基烷基、C4-C30乙酰基、C4-C30乙酰基烷基、C4-C30烷基羧基、C4-C30环烷基羧基、C4-C30饱和或不饱和烃环或C4-C30杂环基团，其中A₁和A₂并非二者均是直接键，其中A₁和A₂是未被取代的或者被卤素、羰基或羟基取代的；

A₃是C6-C14芳族基团，其中A₃是未被取代的或者被卤素、羰基或羟基取代的；

R₁是酸不稳定基团；

Ra和Rb独立地是H或C1-C3烷基；

R_f是直接键或C1-C5氟碳；

PAG是光致产酸剂；并且

0≤x/(x+y+z)≤1，0≤y/(x+y+z)≤1，并且0≤z/(x+y+z)≤1。

2.根据权利要求1所述的方法，其中A₁、A₂和A₃独立地是链、环或三维结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中A₁、A₂和A₃中至少一个是三维的金刚烷基或降冰片基结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中R₁是C4-C15烷基、C4-C15环烷基、C4-C15羟烷基、C4-C15烷氧基或C4-C15烷氧基烷基。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致产酸剂包含三苯基锍基团和磺酸根基团。

6.根据权利要求1所述的方法，其中R_f是全氟化基团。

7.根据权利要求1所述的方法，其中A₃是苯酚基、羟基萘基或羟基蒽基。

8.根据权利要求1所述的方法，其中A₁、A₂和A₃独立地是苯基或萘基。

9.根据权利要求1所述的方法，其中L是直接键，A₃是对苯酚基，并且0.2≤x/(x+y+z)≤0.5。

10.根据权利要求1所述的方法，其中A₁不是直接键，并且0.2≤y/(x+y+z)≤0.7。