[发明专利]采用具有不同含量的氟和氧的钕基材料的LED设备

权利要求书

1.一种采用钕基材料的设备，其包括：

至少一个发光二极管(LED)模块，其被配置成产生可见光；所述发光二极管(LED)模块封装在光学部件内；

包含NdF_xO_y化合物的第一层，所述NdF_xO_y化合物：(i)沉积在所述光学部件的表面上；以及(ii)具有相应浓度的钕(Nd)、氟(F)和氧(O)，其中x和y的值确定所述氟(F)和所述氧(O)的比率并且在NdF_xO_y化合物的制造期间进行调节，以提供所述设备的所需输出光参数，其包括至少通过使用所述NdF_xO_y化合物过滤产生的可见光实现的所需输出光谱；以及

聚合物复合层，所述聚合物复合层：(i)沉积在所述至少一个发光二极管(LED)模块的表面上；以及(ii)包括与磷光体共混的所述NdF_xO_y化合物；

其中x的值在0.3和0.5之间，并且y的值在1.25和1.33之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发光二极管(LED)模块安装在印刷电路板上。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一层和所述聚合物复合层组合以形成所述光学部件的所述表面上的一层。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一层和所述聚合物复合层中的一个层沉积在所述光学部件的外表面上，而所述第一层和所述聚合物复合层中的另一层沉积在所述光学部件的内表面上。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述NdF_xO_y化合物包含在560nm和600nm之间的波长范围内的所需吸收峰，其用来提供所述所需输出光谱。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，在所述所需吸收峰处的所需折射率为从1.6至1.8。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述NdF_xO_y化合物是单晶相化合物。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述NdF_xO_y化合物通过使用湿化学处理，使用流动的氟气(F₂)或氢氟酸(HF)的氟化处理，由氧化钕(Nd₂O₃)制造。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，在所述氟化处理期间使用改变的一个或多个参数来控制所述NdF_xO_y中的x和y，所述参数包括：氢氟酸(HF)浓度、处理温度、反应时间和氟气(F₂)浓度。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述NdF_xO_y化合物通过使用固体反应方法的干式法来制造，所述固体反应方法包括将氧化钕(Nd₂O₃)和氟化钕(NdF₃)以所述氧化钕(Nd₂O₃)和所述氟化钕(NdF₃)的预定重量比共混，以形成共混的化合物，随后在惰性气体的保护气氛下，将所述共混的化合物高温合成所述NdF_xO_y化合物，其中所述氧化钕(Nd₂O₃)和所述氟化钕(NdF₃)的预定重量比对应于制造的NdF_xO_y化合物中的氟(F)和氧(O)之比。

11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述惰性气体包含氮(N₂)气或氩(Ar)气。