[发明专利]耐辐射基因工程菌Deino-dsrA及其构建方法与应用

权利要求书

1.一种耐辐射基因工程菌Deino-dsrA的构建方法，其特征在于，包括:

(1)以含有还原基因dsrA的基因组DNA为扩增模板，进行PCR扩增，PCR产物经纯化回收得到目的基因dsrA；

(2)将目的基因dsrA和pRADK质粒经核酸内切酶NdeⅠ和核酸内切酶BamHⅠ双酶切并纯化回收，用连接酶连接得到重组载体pRADK-dsrA；

(3)将所述重组载体pRADK-dsrA转化入耐辐射奇球菌中构建耐辐射基因工程菌Deino-dsrA，进行PCR鉴定，筛选出基因扩增为阳性的菌株；

步骤(1)中，所述PCR扩增的引物核苷酸序列如下：

上游引物dsrA-F序列为：

5’-CCCTGCAGGTCGAATCGGATCCCCAAGGCAGGCTTCAG-3’，

下游引物dsrA-R序列为：

5’-CTCACAGGAGGACCCCATATGCATGTGGAGGTAGGCA-3’；

其中，所述上游引物dsrA-F序列中具有下划线的碱基部分为BamHⅠ酶切位点，所述下游引物dsrA-R序列中具有下划线的碱基部分为NdeⅠ酶切位点。

2.根据权利要求1所述的耐辐射基因工程菌Deino-dsrA的构建方法，其特征在于，从硫酸盐还原菌中提取得到含有还原基因dsrA的所述基因组DNA。

3.一种耐辐射基因工程菌Deino-dsrA，其特征在于，由权利要求1～2任一项所述的构建方法构建。

4.如权利要求3所述的耐辐射基因工程菌Deino-dsrA在铀污染水体修复中的应用。

5.一种铀污染水体修复剂的制备方法，其特征在于，将权利要求4所述的耐辐射基因工程菌Deino-dsrA于TGY固体培养基中培养复苏后，挑取单克隆菌株接种于TGY液体培养基中，扩大培养至菌液OD₆₀₀值为0.9～1.0；然后将所述菌液进行稀释得到OD₆₀₀值为0.5～0.6的菌悬液，所述菌悬液为铀污染水体修复剂。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述TGY固体培养基的pH值为6.2～6.6，包括以下质量百分数的组分：0.5％胰蛋白冻、0.3％酵母提取物、0.1％D-葡萄糖、1.5％琼脂，余量为超纯水。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述TGY液体培养基的pH值为6.2～6.6，包括以下质量百分数的组分：0.5％胰蛋白冻、0.3％酵母提取物、0.1％D-葡萄糖，余量为超纯水。

8.一种铀污染水体的修复方法，其特征在于，将权利要求5至7任一项所述的制备方法制备得到的所述菌悬液和铀溶液按预设比例混合后，调节pH值为4.8～6，然后置于29℃～31℃恒温空气浴摇床中进行富集反应，所述富集反应的时间为55～105min。

9.根据权利要求8所述的铀污染水体的修复方法，其特征在于，所述铀溶液中铀的初始质量浓度为10～30mg/L，所述预设比例为2：1，所述恒温空气浴摇床的转速为220r/min。