[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法

说明书

本发明提供一种谐振器和谐振器的制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述衬底上；以及电极，该电极形成在所述压电层上，其中，所述PMNT材料包括(1‑x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃‑xPbTiO₃材料，并且其中x是在从0.33到0.35之间的范围中的值。

技术领域

本申请涉及电子器件，尤其涉及谐振器以及谐振器的制造方法。

背景技术

声表面波(SAW：surface acoustic wave)器件是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)(一种金属电极周期结构，其形状如同双手交叉)将电输入信号转换为声表面波，是现今通信设备的关键元器件。

作为声表面波器件之一，声表面波谐振器(以下有时简称为SAW谐振器)大量被应用在信号接收机前端以及双工器和接收滤波器等等。SAW谐振器具有低插入损耗和良好的抑制性能，可实现较宽的带宽和较小的体积。

根据性能，SAW谐振器可分为Normal-SAW(普通SAW)谐振器、TC-SAW(温度补偿型SAW)谐振器以及I.H.P-SAW(超高性能SAW)谐振器等。其中，Normal-SAW是一种覆盖了全部接收端(RX)频段和部分发射端(TX)中低端频段的特定的SAW谐振器，其在通信领域有着广泛的应用。

对于各种SAW谐振器而言，它们的不同类别的性能都可能对其服役情况产生较大的影响，进而影响包含SAW谐振器在内的整个装置乃至整个系统的稳定性、使用寿命等等。一般来说，现有的Normal-SAW的中心频率f₀≤2GHz，品质因数Q≤800，优质因数(FOM：Figure of Merit)≤80，机电耦合系数K²(也可写为k²)≤8％。

发明内容

发明所要解决的技术问题

随着通信技术的不断进步，对于Normal-SAW谐振器之类的器件的各项性能的要求也不断变得严苛。然而，如上所述的现有的Normal-SAW谐振器无法同时满足与5G通信有关的高频、大带宽、高性能的通信要求。

本发明鉴于上述那样的现有问题而完成，其目的在于，提供一种谐振器及其制造方法，能够获得高频、大带宽、高性能的Normal-SAW谐振器，实现对于大带宽通信来说综合性能优异的谐振器。

解决技术问题的技术方案

在解决上述问题的本发明的一个实施例中，提供了一种谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述衬底上；以及

电极，该电极形成在所述压电层上，

其中，所述PMNT材料包括(1-x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-xPbTiO₃材料，并且其中x是在从0.33到0.35之间的范围中的值。

在本发明的一实施例中，所述谐振器还包括保护层，该保护层形成在所述电极上并且覆盖所述电极。

在本发明的一实施例中，所述保护层由SiO₂、SiFO和SiOC中的一种或多种形成。

在本发明的一实施例中，所述保护层的厚度小于200nm。