[发明专利]一种含异靛化合物的空穴传输材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含异靛化合物的空穴传输材料，其特征在于：空穴传输材料具有如式I所示结构，两端连接分别连接胺基衍生物：

R选自C31以下的烷基，C31以下的酰基，C18以下的芳基，C18以下的杂芳基；

AR选自中的一种；

Y₁、Y₂各自独立选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代C1-C10的烷基、取代或未取代C2-C10的烯基、取代或未取代C1-C10的烷氧基、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代C3-C30的杂芳基、L¹NAr¹Ar²、L²NAr³Ar⁴中的一种；

L¹，L²各自独立选自单键、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基；Ar¹～Ar⁴各自独立选自取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基；Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴彼此不连接，或Ar¹和Ar²、Ar³和Ar⁴两两成对经单键、-O-，-S-，-C(CH₃)₂-，-C(C₆H₅)₂-连接成更大的共轭单元；m，n各自独立的选择0，1，2。

2.根据权利要求1所述的一种含异靛化合物的空穴传输材料，其特征在于：所述烷基、取代的烯基、取代的烷氧基、取代的芳基、取代的杂芳基各自独立地选自氘、卤素、氰基未取代或R′取代的C1～C4直链或直链烷基、未取代或R′取代的C6～C18芳基、未取代或R′取代的C3～C30杂芳基、C6～C30芳胺基；R触立选自氢、氘、卤素、氰基中的一个或多个取代或未取代的C1-C4的烷基、C6-C12的芳基、C3-C12的杂芳基，所述卤素选自氟、氯、溴或碘。

3.根据权利要求1所述的一种含异靛化合物的空穴传输材料，其特征在于：所述Ar选自如下基团中的任意一种：

其中，虚线代表基团的连接位点；

Y¹¹、Y¹²、Y¹³、Y¹⁴、Y¹⁵、Y¹⁶、Y¹⁷、Y¹⁸、Y¹⁹、Y¹¹⁰、Y¹¹¹、Y¹¹²各自独立地选自N或C-R^Y；T¹选自O、S、N-R^T1、CR^T2R^T3、SiR^T2R^T3；R^Y、R^T1、R^T2、R^T3各自独立地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C4直链或支链烷基、取代或未取代的C6～C18芳基、取代或未取代C3～C18杂芳基、C6～C18芳胺基；取代基R^Y彼此不连接或相邻的至少2个取代基通过化学键连接成环。

4.根据权利要求1所述的一种含异靛化合物的空穴传输材料，其特征在于：所述Ar选自如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：

所述取代基选自氘、氟、氯、溴、碘、氰基、未取代或R′取代的C1～C4直链或支链烷基、未取代或R′取代的C6～C18芳基、未取代或R′取代的C3～C18杂芳基、C6～C18芳胺基；R′选自氘、氟、氯、溴、碘和氰基，所述L¹、L²各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的芴基；所述取代的取代基选自氘、氟、氯、溴、碘、氰基、C1～C4直链或支链烷基。