[发明专利]一种热致延迟荧光半导体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种热致延迟荧光半导体，其特征在于：具有如下通式(I)所示的结构，通式(I)为：

中，X为O，虚线代表基团的连接位点；Z¹，Z²和Z³分别各自独立为N原子或次甲基中的一种；Y¹，Y²，Y³，Y⁴，R⁰，R¹，R²，R³各自独立选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代C1-C10的烷基、取代或未取代C2-C10的烯基、取代或未取代C1-C10的烷氧基、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代C3-C30的杂芳基、L¹NAr¹Ar²、L²NAr³Ar⁴、L³NAr⁵Ar⁶和L⁴NAr⁷Ar⁸中的一种。

2.根据权利要求1所述的一种热致延迟荧光半导体，其特征在于：在通式(I)中，1、m、n各自独立地选自0～3的整数；例如0、1或2；当m，n大于或者等于2时，R¹或R²各自独立的相同或者不同。L¹，L²，L³，L⁴各自独立选自单键、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基。Ar¹～Ar⁸各自独立选自取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基；Ar¹～Ar⁸彼此不连接，或Ar¹和Ar²、Ar³和Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶、Ar⁷和Ar⁸两两成对经单键、-O-，-S-，-C(CH₃)₂-，-C(C₆H₅)₂-连接成更大的共轭单元；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅各自独立地选自氘、氚、氰基、硝基、卤素、取代或未取代的C1～C10直链或支链烷基、取代或未取代的C2～C10烯烃基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代C3～C30杂芳基，虚线代表基团的连接位点。

3.根据权利要求1所述的一种热致延迟荧光半导体，其特征在于：在通式(I)中，m、1各自独立地选自0～3的整数，例如0、1、2或3；o、p、q各自独立地选自0～4的整数，例如0、1、2、3或4；当m≥2时，R₁相同或不同；当1≥2时，R₂相同或不同；当o≥2时，R₃相同或不同；当q≥2时，R₄相同或不同；当p≥2时，R₅相同或不同。取代基R₁、R₂、R₃、R₄、R₅彼此不连接，或相邻或间隔1～3(例如1、2或3)个碳原子的2个取代基通过化学键连接成环A；所述环A选自取代或未取代的C5～C30不饱和碳环、取代或未取代的C3～C30不饱和杂芳环。