[发明专利]一种制备高熔点金属三元扩散偶的方法有效
申请号: | 202110393255.9 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113189127B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 胡洁琼;谢明;陈永泰;方继恒;刘满门;王塞北;杨有才;陈松;李爱坤;段云昭;赵上强 | 申请(专利权)人: | 昆明贵金属研究所 |
主分类号: | G01N23/2251 | 分类号: | G01N23/2251;G01N23/2202;G01N33/204;C23C10/22;C23C10/28 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650106 云南省昆明市*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 熔点 金属 三元 扩散 方法 | ||
1.一种制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于:
三种高熔点金属按照熔点相对高、中、低分别表示为A金属、C金属和B金属;首先通过固-液扩散法,将所述A金属与B金属结合在一起制备成A-B二元扩散偶;然后再通过固-固扩散法制备得到三元A-B/C扩散偶;
具体包括以下步骤:
(1)先将所述B金属的块或者片重叠铺放在所述A金属的块的上方位置,然后再平放入刚玉舟中;
(2)将刚玉舟放入高温管式炉中,在氩气保护下加热升温至B金属熔点以上、A金属熔点以下,并保温30分钟以上,让B金属均匀熔融覆盖在A金属块表面,随后降温至B熔点以下进行扩散退火,然后随炉冷却后取出,得到A-B二元扩散偶;
(3)将所述C金属的片表面磨平并抛光,C金属的片的长度以能包覆住所述A-B二元扩散偶为准,C金属的片的宽度与所述A-B二元扩散偶的结合界面的宽度相同;把C金属的片折弯包覆在所述A-B二元扩散偶的结合界面处,并用夹具固定,真空封装在石英管中进行扩散退火,从而制备得到A-B/C三元扩散偶。
2.根据权利要求1所述的制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
(4)退火完成,将石英管取出在冷水中快速冷却,再将制备好的A-B/C三元扩散偶从石英管取出,打磨处理。
3.根据权利要求1所述的制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于:
所述A金属的熔点高于B金属的熔点150℃以上,所述加热升温至B金属熔点以上30-50℃。
4.根据权利要求1~3任一项所述的制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于:
所述A金属、B金属和C金属分别为Pt、Au和Ni。
5.根据权利要求4所述的制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于:
所述在氩气保护下加热升温至1000~1120℃。
6.根据权利要求4所述的制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于:
将厚度为0.4~0.5mm的Ni金属片表面磨平并抛光后折弯包覆在Au-Pt结合界面处。
7.根据权利要求4所述的制备高熔点金属三元扩散偶的方法,其特征在于:
所述扩散退火在温度750~900℃进行。
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