[发明专利]一种提高碳化硅晶体质量的方法有效
| 申请号： | 202110393802.3 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113089087B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 晶体 质量 方法 | ||
1.一种提高碳化硅晶体质量的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行是：
一、碳化硅晶体的生长炉包括石墨坩埚(1)、上盖(2)、下加热器(3)、中加热器(4)和上加热器(5)；其中在石墨坩埚(1)外由下至上分别设置下加热器(3)、中加热器(4)和上加热器(5)，用于加热；上盖(2)设置在石墨坩埚(1)顶部，上盖(2)用于密封石墨坩埚(1)并且用于固定碳化硅籽晶(6)；在用于生长碳化硅晶体的石墨坩埚(1)中，由下至上装填三层材料，其中：
底层为碳化硅粉末层(7)；
中间层的中心部分为大孔多孔石墨(8)，中间层的外围部分为小孔多孔石墨(9)，其中大孔多孔石墨的孔径为500～1000um，小孔多孔石墨的孔径为50～200um；
上层的中心部分为大粒碳化硅多晶(10)，上层的外围部分为小粒碳化硅多晶(11)；大粒碳化硅多晶(10)的粒径为300～600um，小粒碳化硅多晶(11)的粒径为50～100um；
二、将碳化硅籽晶(6)固定在上盖(2)的内下方，密封坩埚；
三、开启下加热器(3)、中加热器(4)和上加热器(5)，使碳化硅粉末层的温度达到2200～2300℃、中间层的温度达到2000～2200℃，碳化硅籽晶(6)处的温度达到1800～2000℃，进行晶体生长，生长结束后降至室温，得到碳化硅晶体。
2.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅晶体质量的方法，其特征在于沿高度方向，上层、中间层、底层的厚度比为1：(2～3)：(3～7)。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高碳化硅晶体质量的方法，其特征在于上层的厚度是1～3mm。
4.根据权利要求1或2所述的一种提高碳化硅晶体质量的方法，其特征在于沿径向方向，中间层的大孔多孔石墨(8)构成的圆柱的半径与小孔多孔石墨(9)构成的圆筒的厚度的比为(1～3.5)：1。
5.根据权利要求1或2所述的一种提高碳化硅晶体质量的方法，其特征在于沿径向方向，上层的大粒碳化硅多晶(10)构成的圆柱的半径与小粒碳化硅多晶(11)构成的圆筒的厚度的为(1～3.5)：1。
6.根据权利要求1或2所述的一种提高碳化硅晶体质量的方法，其特征在于步骤三中，晶体生长时间为100～200小时。
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