[发明专利]一种版图中Finger晶体管的识别方法

权利要求书

1.一种版图中Finger晶体管的识别方法，其特征在于，包括：

步骤S1：获取版图信息，对多晶硅层和有源区层的多边形进行“AND操作”，将“AND操作”后得到的多边形作为备选Gate加入备选Gate列表；

其中，所述“AND操作”是指获取两层多边形的重叠区域图形的操作；

步骤S2：依次从所述备选Gate列表中取备选Gate作为当前备选Gate，识别出当前备选Gate的相关Gate，并利用识别出的相关Gate判断当前备选Gate是否为Finger晶体管中的Gate，若是，则识别出所述Finger晶体管的源极、漏极和栅极；直至对备选Gate列表中的所有备选Gate完成处理，实现在版图中识别出所有Finger晶体管；识别出当前备选Gate所在Finger晶体管中的源极、漏极和栅极，具体包括：

识别与所述当前备选Gate存在重叠区域的有源区层的多边形，并对所述有源区层的多边形和所述当前备选Gate进行“OR操作”，将得到的图形和有源区层的多边形进行“AND操作”，将得到的图形和多晶硅层的多边形进行“MINUS操作”，将得到的图形记为图形h；其中，所述“OR操作”是指对两个多边形图形取并集以得到图形的操作；所述“MINUS操作”是指将前一个图形减去后一个图形得到新图形的操作；

将所述备选Gate列表中的所有备选Gate与当前备选Gate的相关Gate进行“AND操作”后，得到若干备选Gate组成的图形并记为图形g；

识别出图形h中和图形g相连的多边形并记为图形i；从图形i中找出其中一个多边形，将所述多边形确定为所述Finger晶体管的源极或漏极，然后确定图形i中其余多边形为所述Finger晶体管的源极或漏极；使其满足图形i中任意两个相邻的多边形，一个为所述Finger晶体管的源极，另一个为所述Finger晶体管的漏极；

图形g中的每个多边形即为所述Finger晶体管的栅极；完成对当前备选Gate所在Finger晶体管中的源极、漏极和栅极的识别。

2.根据权利要求1所述的版图中Finger晶体管的识别方法，其特征在于，所述步骤S2中，识别出当前备选Gate的相关Gate，具体包括：

对当前备选Gate进行递归操作，得到所述当前备选Gate相关的图形，记为图形b；

对图形b和多晶硅层的多边形进行“AND操作”，并将得到的图形记为图形c；

识别与所述当前备选Gate存在重叠区域的有源区层的多边形，并对所述有源区层的多边形和所述当前备选Gate进行“OR操作”，将得到的图形记为图形d；对图形d和有源区层的多边形进行“AND操作”，将得到的图形记为图形e；

对图形c和图形e进行“AND操作”，将得到的图形记为图形f；所述图形f即为当前备选Gate的相关Gate。

3.根据权利要求2所述的版图中Finger晶体管的识别方法，其特征在于，所述递归操作，具体包括：

步骤S201：将当前备选Gate记为第一图形；

步骤S202：识别与所述第一图形相连的多晶硅层的多边形和/或栅极连接层的多边形，并将识别出的多边形与所述第一图形组成的图形记为第二图形；

步骤S203：判断所述第二图形与所述第一图形是否相同，若所述第二图形与所述第一图形不相同，则将所述第二图形记为新的第一图形并重新返回至步骤S202执行；若所述第二图形与所述第一图形相同，则将所述第二图形记为图形b，完成对当前备选Gate的递归操作。

4.根据权利要求2所述的版图中Finger晶体管的识别方法，其特征在于，所述步骤S2中，利用识别出的相关Gate判断当前备选Gate是否为Finger晶体管中的Gate，具体包括：

判断所述图形g中的Gate数量，若所述图形g中的Gate数量不大于1，则表示当前备选Gate不是Finger晶体管中的栅极；若所述图形g中的Gate数量大于1，则表示当前备选Gate是Finger晶体管中的栅极。

5.根据权利要求4所述的版图中Finger晶体管的识别方法，其特征在于，将所述图形g中的备选Gate都标记为“已处理”。