[发明专利]一种采用缺陷地结构的TRL校准件在审
| 申请号： | 202110394654.7 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113203877A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘石头;杨天应;张胜峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/04 | 分类号： | G01R1/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 缺陷 结构 trl 校准 | ||
1.一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述TRL校准件包括直通件、反射件和延迟件；
所述直通件、所述反射件和所述延迟件的微带线下方的参考地上均设置有缺陷地结构；其中，所述缺陷地结构由相互平行的多个相同的凹槽构成。
2.根据权利要求1所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，每个所述凹槽的形状、尺寸均相同，每相邻两个所述凹槽的间距均相同。
3.根据权利要求2所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述凹槽的形状包括：矩形、三角形、圆形和正方形。
4.根据权利要求1所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述直通件的缺陷地结构长度与所述直通件本身长度相等；所述反射件的缺陷地结构长度与所述反射件本身长度相等；所述延迟件的缺陷地结构长度与所述延迟件本身长度相等。
5.根据权利要求4所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述直通件本身长度依据芯片尺寸和所述TRL校准件的端口阻抗确定；
所述延迟件本身长度依据所述直通件本身长度确定；
所述反射件本身长度依据所述延迟件本身长度确定。
6.根据权利要求5所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述延迟件本身长度依据所述直通件本身长度确定，具体为：
L2＝L1+a
其中，L2为所述延迟件本身长度，L1为所述直通件本身长度；a为所述延迟件本身长度与所述直通件本身长度之间的差值，且所述a由所述延迟件和所述直通件之间的相位差决定。
7.根据权利要求5所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述反射件本身长度依据所述延迟件本身长度确定，具体为：
L3＝(1/2)*L2
其中，L2为所述延迟件本身长度，L3为所述反射件本身长度。
8.根据权利要求5所述的一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述TRL校准件的端口阻抗设置为50欧姆。
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