[发明专利]一种掺杂缺陷去除方法

权利要求书

1.一种掺杂缺陷去除方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构；所述半导体结构经过离子注入和退火处理，所述半导体结构具有尖角，且所述尖角处存在缺陷；

对所述半导体结构进行低温氧化，以氧化所述尖角处的缺陷；

将所述半导体结构置于研磨装置中；所述研磨装置包括研磨腔体；所述研磨腔体中设置有研磨机台，所述研磨机台用于放置半导体结构；所述研磨腔体侧壁设置有液体入口和液体出口；所述液体入口用于向所述研磨腔体通入研磨液，所述液体出口用于流出所述研磨腔体内的研磨液；

利用所述液体入口向所述研磨腔体通入研磨液；所述研磨腔体中的研磨液浸没所述研磨机台上的半导体结构时，对所述半导体结构进行研磨，以去除所述半导体结构中被氧化的部分；

所述研磨腔体内填充有惰性气体，所述研磨腔体顶部设置有压力盘，所述压力盘用于在纵向移动时调节所述惰性气体的压力时调节所述压力盘在纵向上的位置，以调整所述惰性气体的压力；

所述惰性气体中掺入HF气体或HCl气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

控制所述研磨机台旋转，以带动所述半导体结构旋转。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述研磨液施加超声或兆声。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述研磨液进行加热。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述对半导体结构进行低温氧化，包括：

对所述半导体结构进行臭氧氧化。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，对所述半导体结构进行低温氧化之前，所述方法还包括：

利用等离子体，对所述半导体结构进行表面活性处理。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述半导体结构为鳍式场效应晶体管器件中的源漏，所述离子注入用于实现浅结注入或源漏掺杂。