[发明专利]一种晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在晶圆表面形成外围金属膜层；

（2）采用镂空的挡板作为掩膜基板，在外围金属膜层以内的部分晶圆表面形成增透膜层；

（3）采用镂空的挡板作为掩膜基板，在外围金属膜层以内的区域，在增透膜层以外的至少部分晶圆表面形成吸气剂层；

（4）在整个晶圆表面涂覆光刻胶层，通过曝光显影，露出外围金属膜层，然后在外围金属膜层上形成支撑层和焊料层，形成金属焊环，再去除光刻胶，即得盖帽晶圆。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，先在晶圆表面制作光刻图形，然后在晶圆表面沉积金属层，剥离掉光刻胶和沉积在所述光刻胶上的金属层，得到表面具有外围金属膜层的晶圆。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述外围金属膜层包括在晶圆上依次沉积的Ti膜、Pt膜和Au膜；

所述Ti膜的厚度为50～200nm，所述Pt膜的厚度为100～200nm，所述Au膜的厚度为400～500nm。

4.如权利要求1～3任意一项所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，放置镂空的挡板，以掩盖所述外围金属膜层和外围金属膜层以内的至少部分晶圆区域，然后通过溅射或蒸发在外围金属膜层以内的部分晶圆表面沉积增透膜层。

5.如权利要求1～3任意一项所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述增透膜层包括在晶圆上依次沉积的ZnS层和Ge层；

所述ZnS层的厚度为1～2μm，所述Ge层的厚度为1～2μm。

6.如权利要求1～3任意一项所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，放置镂空的挡板，以掩盖所述外围金属膜层、增透膜层以及至少部分晶圆区域，然后在外围金属膜层以内除增透膜层以外的部分晶圆表面沉积吸气剂层。

7.如权利要求1～3任意一项所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述吸气剂层的成分包括Zr和Co，以及La、Y和Ce的一种或多种；

所述吸气剂层的厚度为2～5μm。

8.如权利要求1～3任意一所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，在所述外围金属膜层上依次镀支撑层和焊料层；所述支撑层为Cu层，所述焊料层为Sn层；

所述Cu层的厚度为75～107μm；所述Sn层的厚度为3～5μm。

9.如权利要求1～3任意一所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述外围金属膜层为方环形金属膜层。

10.如权利要求1～3任意一所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，所述光刻胶层的厚度为80～110μm。

11.如权利要求1～3任意一项所述的晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，其特征在于，所述晶圆为硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、磷化铟晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆或碳化镓晶圆。