[发明专利]凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法

权利要求书

1.一种凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，包括：

S1：清洗SOI衬底；

S2：在所述SOI衬底上涂覆反转光刻胶；

S3：利用对准标记掩模版，采用光刻反转工艺在所述反转光刻胶上形成对准标记光刻图形；

S4：根据所述对准标记光刻图形，在没有被反转光刻胶覆盖的区域进行干法刻蚀处理，刻蚀完成后去除样品表面残留的反转光刻胶，得到凹陷型电子束套刻对准标记；

其中，所述凹陷型电子束套刻对准标记为尺寸≥20μm×20μm，深度≥500nm的方形结构；所述凹陷型电子束套刻对准标记的外周凹槽的宽度≥50μm。

2.根据权利要求1所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述反转光刻胶的型号为AZ5214、AZ5200E或TI35E。

3.根据权利要求2所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述S2包括：

采用旋涂工艺，将所述反转光刻胶涂覆在所述SOI衬底上，旋涂完成后，将其放置在烤台上烘烤，其中，所述反转光刻胶的厚度不小于1μm。

4.根据权利要求1所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述S3包括：

S31：将涂覆反转光刻胶的SOI衬底放入光刻系统中，调整所述对准标记掩模版与SOI衬底的位置后，进行第一次曝光；

S32：将第一次曝光处理后的样品移动至烤台上烘烤；

S33：待样品冷却后再次放入所述光刻系统中，去除所述对准标记掩模版后，进行第二次曝光；

S34：将第二次曝光处理后的样品放在显影液中显影，所述对准标记掩模版覆盖区域的反转光刻胶溶解，对显影处理后的样品进行清洗和吹干，在所述反转光刻胶上形成对准标记光刻图形。

5.根据权利要求4所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，在所述S31中，第一次曝光的时间和光强度乘积不小于65。

6.根据权利要求4所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，在所述S32中，烘烤温度不低于100℃，烘烤时间不少于120s。

7.根据权利要求4所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，在所述S33中，第二次曝光的时间和光强度乘积不小于450。

8.根据权利要求1所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述S4包括：

S41：采用反应离子刻蚀工艺对所述SOI衬底的顶硅层进行刻蚀，刻蚀气体为SF₆、CHF₃以及O₂的混合气体；

S42：采用反应离子刻蚀工艺对所述SOI衬底的二氧化硅层进行刻蚀，刻蚀气体为CF₄和CHF₃的混合气体；

S43：使用离子体去胶机去除样品表面残留的反转光刻胶，得到凹陷型电子束套刻对准标记。

9.根据权利要求8所述的凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记的制备方法，其特征在于，在所述S4中，刻蚀深度≥500nm，刻蚀形成凹槽的宽度≥50μm。

10.一种凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构，其特征在于，根据上述权利要求1-9中任一项所述方法制备得到。