[发明专利]一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述太阳能电池叠层钝化结构包括P型硅衬底(1)，以及在所述的P型硅衬底(1)背面从里到外依次设置的第一介电层(2)，第二介电层(3)、第三介电层(4)和第四介电层(5)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第一介电层(2)包括含硅层。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第一介电层(2)为氧化硅层和/或氮氧化硅层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第一介电层(2)的厚度为1-10nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层(3)包括含铝层。

6.根据权利要求1或5所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层(3)为氧化铝层。

7.根据权利要求1、5或6所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层(3)的厚度为1-60nm。

8.根据权利要求1、5-7任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层(3)为PECVD法沉积或是ALD法沉积，厚度为1-50nm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)包括含硅层。

10.根据权利要求1或9所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合。

11.根据权利要求1、9或10所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)的厚度为1-80nm。

12.根据权利要求1、9-11任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为PECVD法沉积，厚度为1-80nm。

13.根据权利要求1、9-12任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)的折射率为1.5-2.4。

14.根据权利要求1、9-13任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为不同折射率的叠层膜结构。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为折射率范围为1.6-2.2的氮氧化硅与折射率范围为1.7-2.4的氮氧化硅的叠层膜结构。

16.根据权利要求14所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为折射率范围为1.6-2.2的氮氧化硅与折射率范围为1.7-2.4的碳化硅的叠层膜结构。

17.根据权利要求14-16任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)的叠层膜结构中，沿着远离P型硅衬底(1)的方向，所述叠层膜的各膜折射率依次升高。

18.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第四介电层(5)包括含硅层。

19.根据权利要求1或18所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第四介电层(5)为氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合。