[发明专利]显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 202110397446.2 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113178467B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 丁可;顾宇 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板，具有显示区，所述显示区具有摄像区和非摄像区，其特征在于，所述非摄像区包围所述摄像区，在所述显示区内，所述显示面板的出光侧设置有光耦合层；
其中所述摄像区内的所述光耦合层的厚度大于所述非摄像区内的所述光耦合层的厚度，以使所述显示区亮度衰减一致。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光耦合层的厚度范围为60nm～100nm。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述摄像区内的所述光耦合层厚度为所述非摄像区内的所述光耦合层的厚度的1.2倍。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述摄像区内的所述光耦合层厚度为72nm～96nm，所述非摄像区内的所述光耦合层的厚度为60nm～80nm。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示区内，所述显示面板包括：
基板；以及，
发光器件层，设置于所述基板上；
所述光耦合层设置在所述发光器件层远离所述基板的一侧；
其中所述非摄像区内的所述发光器件层的亮度衰减速度大于所述摄像区内的所述发光器件层的亮度衰减速度，并且所述光耦合层与所述发光器件层配合使所述显示区的亮度衰减一致。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括：
第一电极层，设置在所述基板和所述光耦合层之间；
发光层，设置在所述第一电极层和所述光耦合层之间；以及，
第二电极层，设置在所述发光层和所述光耦合层之间；
所述发光层发射的光线经由所述第二电极层和所述光耦合层射出。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的显示面板。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括屏下摄像头，所述屏下摄像头设置在所述显示面板的非出光侧，并且所述屏下摄像头位于所述摄像区内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
