[发明专利]集成电路器件及制造集成电路器件的方法

说明书

集成电路器件可以包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，连接到所述源/漏区。所述源/漏接触图案可以包括：第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一高度，并且所述第二部分具有小于所述第一高度的第二高度。所述源/漏接触图案可以包括：金属插塞，在所述第一部分和所述第二部分中；以及导电阻挡膜，在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上。所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。

相关申请的交叉引用

本申请基于以下申请并且要求以下申请的优先权：于2020年6月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0069845，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及集成电路器件及其制造方法，更具体地，涉及包括鳍型场效应晶体管的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。

背景技术

随着集成电路器件的尺寸减小，集成电路器件的操作的准确性以及集成电路器件的快速操作速度成为了重要的考虑。因此，已经开发了用于减小由布线和接触部占据的面积、可靠地确保布线与接触部之间用于电隔离的距离并且提高可靠性的技术。

发明内容

本发明构思的实施例提供了集成电路器件，该集成电路器件的结构提高了具有通过尺寸减小而减小的器件区的集成电路器件的可靠性。

本发明构思的实施例还提供了制造集成电路器件的方法，该集成电路器件的结构提高了具有通过尺寸减小而减小的器件区的集成电路器件的可靠性。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，电连接到所述源/漏区并且包括第一部分和第二部分，所述第一部分在竖直方向上具有第一高度，所述第二部分在竖直方向上具有小于所述第一高度的第二高度，其中，所述源/漏接触图案包括金属插塞和导电阻挡膜，金属插塞在所述第一部分和所述第二部分中，并且导电阻挡膜在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上，并且相对于所述衬底，所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种集成电路器件，包括：多个鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上彼此平行延伸；栅极线，在所述多个鳍型有源区上在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述多个鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，电连接到所述源/漏区，其中，所述源/漏接触图案包括第一部分和第二部分，所述第一部分在竖直方向上具有第一高度，并且所述第二部分在竖直方向上具有小于所述第一高度的第二高度；所述第一部分包括金属插塞的第一部分、以及所述金属插塞的所述第一部分的侧壁上的导电阻挡膜的第一部分，并且所述第二部分包括所述金属插塞的第二部分、以及所述金属插塞的所述第二部分的侧壁上的所述导电阻挡膜的第二部分；所述导电阻挡膜的所述第一部分的第一顶表面与所述金属插塞的所述第一部分的第二顶表面彼此共面并且在第一竖直高度水平处；并且相对于所述衬底，所述导电阻挡膜的所述第二部分的第三顶表面低于所述金属插塞的所述第二部分的第四顶表面。