[发明专利]cREO上方的外延层中的局部应变场

权利要求书

1.一种用于声波的传输的层状结构(100)，所述层状结构(100)包括：

基板层(102)；

在基板层(102)上方的第二层(104)，其中，第二层(104)包括彼此相邻的多个离散部分(105)，所述多个离散部分(105)中的每个离散部分(105)包括第一子区域(104A)和第二子区域(104B)；以及

外延层(108)，生长在第二层(104)上方，用于外延层(108)的主平面中的声波的传输，

其中，要通过外延层(108)传输的声波的波长的周期(λ)近似等于第一子区域(104A)的宽度(d_A)与第二子区域(104B)的宽度(d_B)之和。

2.根据权利要求1所述的层状结构(100)，其中，第一子区域(104A)选自包括无孔硅、多孔硅、结晶稀土氧化物(cREO)及其组合的组；以及

其中，第二子区域(104B)选自包括无孔硅、多孔硅、结晶稀土氧化物(cREO)及其组合的组。

3.根据权利要求1或2所述的层状结构(100)，其中，外延层(108)是半导体层(508)、RE-III-N层(608)、外延金属层(708)、结晶稀土氧化物(cREO)层(808)和硅层(908)中的一个。

4.根据任何前述权利要求所述的层状结构(100)，其中，基板(120)包括选自包括硅(Si)、锗(Ge)、绝缘体上硅(SOI)和SiGe的组中的一个或多个IV族元素。

5.根据任何前述权利要求所述的层状结构(100)，还包括设置在外延层(108)上方的电极(112)，其中，电极(112)基于第二层(104)的周期(λ)而分布。

6.一种形成用于声波的传输的层状结构(100)的方法，所述方法包括：

提供基板层(102)；

刻蚀基板层(102)的表面，以在基板层(102)上方形成第二层(104)，第二层(104)包括彼此相邻的多个离散部分(105)，所述多个离散部分(105)中的每个离散部分(105)包括第一子区域(104A)和第二子区域(104B)，其中，第一子区域(104A)形成空隙；

将材料沉积到第二层(104)的第一子区域(104A)的空隙中，以在第二层(104)中形成局部应力；以及

在第二层(104)上方生长外延层(108)，用于声波的传输,

其中，当要通过外延层(108)传输声波时，声波的波长的周期(λ)与第一子区域(104A)的宽度(d_A)和第二子区域(104B)的宽度(d_B)之和匹配。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

利用阳极刻蚀处理第二层(104)的第二子区域(104B)，以使第二子区域是多孔的。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，将外延材料生长到第二层(104)的第一子区域(104A)中包括生长选自包括无孔硅、多孔硅、结晶稀土氧化物(cREO)及其组合的组中的材料。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中，在第二层(104)上方生长外延层(108)包括生长半导体层(508)、RE-III-N层(608)、外延金属层(708)、结晶稀土氧化物(cREO)层(808)和硅层(908)中的一个。