[发明专利]一种非掺杂空穴传输材料及其应用

权利要求书

1.一种非掺杂空穴传输材料，其特征在于：具有如化学结构通式(I)所示的结构：

其中，环PAH为以下多环芳烃中的一种：

R¹表示氢，氘，卤素，氰基，烷基，烯基，炔基，烷氧基，硅烷基，环烷基，取代或未取代的C6～C30芳基或C3～C30杂芳基；宽虚线表示，全部R¹或部分R¹与所述环PAH在邻接的芳基形成共有一边的稠环结构；

R²表示虚线为R²与PAH连接的位点；L表示单键、炔键、亚苯基、亚噻吩基、亚噻唑基、亚吡啶基、亚萘基、芴基、咔唑基、萘并吲哚基；R₃、R₄、R₅和R₆各自独立表示C1～C10烷基链；Ar₁和Ar₂各自独立地表示取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环芳基；m和n各自独立的选自0～6的整数。

2.根据权利要求1所述的一一种非掺杂空穴传输材料，其特征在于：该非掺杂空穴传输材料合成步骤为中间体PAH-X与中间体R²-Y经催化反应偶联得到通式(I)的化合物

其中，X为硼酸、硼酸酯或锡试剂中任意一种时，Y为氯、溴、碘或三氟甲磺酰酯基中任意一种；X为氯、溴、碘或三氟甲磺酰酯基中任意一种时，Y为硼酸、硼酸酯或锡试剂中任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种非掺杂空穴传输材料，其特征在于：所述Ar₁和Ar₂各自独立地表示取代或未取代的苯基、萘基、茚基、芴基、薁基、苯并二茚基、苊烯基、菲基、蒽基、三茚基、荧蒽基、苉基、苝基、五苯基、亚四苯基、联三萘基、三聚茚基、吡喃基、苯并吡喃基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、氧杂蒽基、二苯并呋喃基、噻吩基、噻吨基、噻蒽基、吩噁噻基、硫茚基、异硫茚基、并噻吩基、萘并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、吡唑基、碲唑基、硒唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、呋咱基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、吲哚基、异吲哚基、咔唑基、芴并咔唑基、吲哚并咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、咔啉基、吩碲嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、三苯二噻嗪基、氮杂二苯并呋喃基、三苯二噁嗪基、蒽吖嗪基、苯并噻唑基、苯并咪唑基，所述取代基为氟、氯、烷基、烯基、烷氧基，烷硫基；所述杂环具有至少一个独立地选自氮、硫、氧、磷、硼或硅的杂原子。

4.根据权利要求1所述的一种非掺杂空穴传输材料，其特征在于：所述R²选自如下基团中的任意一种，或被取代基取代的如下基团中的任意一种：

5.一种如权利要求1所述的非掺杂空穴传输材料的应用，其特征在于：该非掺杂空穴传输材料应用在钙钛矿太阳电池器件空穴传输层材料上，所述钙钛矿太阳电池器件的至少有一个功能层中含有非掺杂空穴传输材料中的一种或两种以上的混合物；所述功能层为空穴传输层，所述空穴传输层的厚度为2-200nm。