[发明专利]LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，包括：

衬底；

在衬底上形成的具有上表面的外延层；

在外延层中形成的体区，其中，体区具有第一侧和第二侧；

在外延层内形成的漏极漂移区，其中，漏极漂移区与体区的第一侧相邻；

在外延层上形成的栅极，其中，栅极覆盖体区的一部分以及漏极漂移区的一部分；

在衬底内形成的且和外延层相接触的掩埋层；

在外延层内且在体区的第二侧旁形成的第一阱区，其中，第一阱区和体区隔离开来；

在掩埋层和第一阱区之间形成的且和掩埋层以及第一阱区相接触的下沉区；以及

从外延层的上表面延伸且穿过第一阱区并进入下沉区的沟槽，其中，下沉区通过沟槽的侧壁和底侧进行离子注入形成。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中，沟槽填充有非导电材料。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其中，非导电材料包括未掺杂的氧化物或未掺杂的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中，沟槽从外延层的上表面延伸至由掩埋层的最上表面所定义的水平面。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中，沟槽从外延层的上表面延伸至下沉区中并且延伸至由掩埋层的最上表面所定义的水平面的上方。

6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，进一步包括在掩埋层和漏极漂移区之间形成的降低表面电场层。

7.根据权利要求1所述的LDMOS器件，还包括形成在体区和第一阱区之间的浅沟槽隔离结构。

8.一种形成LDMOS器件的方法，包括：

在衬底中形成掩埋层；

在衬底上形成外延层；

在外延层上依次形成垫氧化层、氮化层和光刻胶层；

用具有开口的掩模层刻蚀光刻胶层；

通过光刻胶层中被刻蚀掉的部分刻蚀氮化层、垫氧化层和外延层以形成沟槽；

通过沟槽的侧壁和底侧进行离子注入以形成下沉区；

用非导电材料填充沟槽；

在掩埋层上方形成漏极漂移区；

在沟槽的上部周围形成第一阱区，其中下沉区形成于掩埋层和第一阱区之间，且下沉区和掩埋层以及第一阱区相接触；

形成与漏极漂移区相邻近且与第一阱区相隔离的体区；以及

在外延层上形成栅极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成沟槽的步骤包括在掩埋层上方停止刻蚀外延层，或者在到达掩埋层时停止刻蚀。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，进行离子注入以形成下沉区的步骤是利用光刻胶层进行的。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括在进行离子注入以形成下沉区的步骤之后进行热退火工艺。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括在进行离子注入以形成下沉区的步骤之后，在沟槽的内表面形成牺牲氧化膜。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括在进行离子注入以形成下沉区的步骤之后，去除光刻胶层和氮化层。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，非导电材料包括未掺杂的氧化物或未掺杂的多晶硅。

15.根据权利要求8所述的方法，还包括去除外延层上方的非导电材料。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，还包括在填充沟槽的步骤之后进行热推进工艺。

17.根据权利要求8所述的方法，还包括在填充沟槽的步骤之后，在掩埋层上方形成降低表面电场层。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括在形成第一阱区的步骤之前形成浅沟槽隔离结构。