[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行刻蚀形成栅极；

在所述衬底基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成金属氧化物薄膜；

在所述金属氧化物薄膜上形成第一光阻层，并对所述第一光阻层进行曝光、显影，以在所述栅极的上方保留所述第一光阻层而形成第一光阻部，其余位置的所述第一光阻层被去除；

在所述金属氧化物薄膜上形成覆盖所述第一光阻部的第二金属层；

在所述第二金属层上形成第二光阻层，并对所述第二光阻层进行曝光、显影，形成相互间隔开的第二光阻部和第三光阻部，其中所述第二光阻部和所述第三光阻部之间间隔形成一开口，所述开口所在的位置与TFT的沟道区相对应，所述第二光阻部和所述第三光阻部所在的位置分别与之后要形成的源极和漏极相对应；

所述第二光阻部和所述第三光阻部作为遮罩，对所述第二金属层和所述金属氧化物薄膜进行刻蚀，所述第二金属层在刻蚀之后形成相互间隔的源极和漏极，所述金属氧化物薄膜在刻蚀之后形成金属氧化物有源层；

去除所述第一光阻部、所述第二光阻部和所述第三光阻部。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述金属氧化物有源层、所述源极和所述漏极的第一保护层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一保护层上形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成第一透明导电薄膜，并对所述第一透明导电薄膜进行刻蚀形成第一透明导电层，所述第一透明导电层作为公共电极；

在所述平坦化层上形成覆盖所述第一透明导电层的第二保护层；

在所述第二保护层、所述平坦化层和所述第一保护层中对应所述漏极的位置形成接触孔，以暴露出所述漏极；

在所述第二保护层上形成第二透明导电薄膜，并对所述第二透明导电薄膜进行刻蚀形成第二透明导电层，所述第二透明导电层填入所述接触孔中与所述漏极接触连接，所述第二透明导电层作为像素电极。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一透明导电层之后，形成所述第二保护层之前，还包括：

在所述第一透明导电层上形成第三金属层，并对所述第三金属层进行刻蚀形成多个导电条，每个导电条与所述第一透明导电层接触连接。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成的所述第一光阻部、所述第二光阻部与所述第三光阻部中，所述第一光阻部的一端与所述第二光阻部之间具有重叠区域，所述第一光阻部的另一端与所述第三光阻部之间也具有重叠区域。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一光阻部与所述第二光阻部之间以及所述第一光阻部与所述第三光阻部之间的重叠区域会存在部分源极与部分漏极的金属，这部分金属在去除所述第一光阻部、所述第二光阻部和所述第三光阻部时一并被去除。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物有源层的材质为IGZO。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述IGZO有源层中，铟、镓、锌的比例为1:1:1。

9.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板由权利要求1至8任意一项所述的制作方法制作形成。