[发明专利]热界面材料及其制造方法在审
申请号: | 202110398523.6 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113185953A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 陈会娟;迈克尔·约翰·布里斯 | 申请(专利权)人: | 谷歌有限责任公司 |
主分类号: | C09K5/14 | 分类号: | C09K5/14;H01L23/373 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周亚荣;邓聪惠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 界面 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种热界面材料,所述热界面材料用于形成在第一传热表面和相对的第二传热表面之间适应的层以在它们之间提供热通道,所述热界面材料包括:
构成所述热界面材料的10重量%或更少的基质材料;和
分散在所述基质材料中并构成所述热界面材料的至少80重量%的填料,所述填料包括:
标称尺寸在1微米至100微米的范围内的第一材料的颗粒,所述第一材料构成所述热界面材料的至少40重量%;和
标称尺寸为1,000nm或更小的金刚石颗粒,所述金刚石颗粒构成所述热界面材料的0.5重量%至5重量%。
2.根据权利要求1所述的热界面材料,其中所述热界面材料的导热率为6W/(m·K)或更高。
3.根据权利要求2所述的热界面材料,其中,在闪蒸之后,所述热界面材料的导热率在6W/(m·K)至10W/(m·K)的范围内。
4.根据权利要求1所述的热界面材料,还包括挥发性烃材料,所述挥发性烃材料构成所述热界面材料的10重量%或更少。
5.根据权利要求4所述的热界面材料,其中所述挥发性烃材料是异链烷烃。
6.根据权利要求1所述的热界面材料,其中所述第一材料是金属、金属氧化物、金属氮化物或碳化物。
7.根据权利要求1所述的热界面材料,其中所述第一材料选自由铝、银、金、氮化铝、碳化硅、氧化铝、氧化锌和立方氮化硼组成的组。
8.根据权利要求1所述的热界面材料,其中所述填料还包括不同于所述第一材料的第二材料的颗粒。
9.根据权利要求8所述的热界面材料,其中所述第二材料是金属、金属氧化物、金属氮化物或碳化物。
10.根据权利要求8所述的热界面材料,其中所述第二材料选自由铝、银、金、氮化铝、碳化硅、氧化铝、氧化锌和立方氮化硼组成的组。
11.根据权利要求8所述的热界面材料,其中所述第二材料的颗粒的标称尺寸在0.1微米至20微米的范围内。
12.根据权利要求8所述的热界面材料,其中所述第二材料的颗粒的标称大小小于所述第一材料的颗粒的标称大小。
13.根据权利要求12所述的热界面材料,其中所述第二材料的颗粒的标称大小大于所述金刚石颗粒的标称大小。
14.根据权利要求8所述的热界面材料,其中所述第二材料的颗粒具有大于所述金刚石颗粒并且小于所述第一材料的颗粒的标称尺寸。
15.根据权利要求1所述的热界面材料,其中所述金刚石颗粒的标称尺寸为500nm或更小。
16.根据权利要求1所述的热界面材料,其中所述金刚石颗粒的标称尺寸在10nm至500nm的范围内。
17.一种系统,所述系统包括:
集成电路器件;
散热器;和
根据权利要求1至16中的任一项所述的热界面材料的层,所述层在所述集成电路器件的表面和所述散热器的表面之间形成界面。
18.根据权利要求17所述的系统,其中所述界面具有对应于所述第一材料的颗粒的标称尺寸的厚度。
19.根据权利要求17所述的系统,其中所述集成电路器件是数据处理单元。
20.一种方法,所述方法包括:
在器件的第一组件和所述器件的第二组件之间提供根据权利要求1至16中的任一项所述的热界面材料的层,所述第一组件包括集成电路;和
经由所述热界面材料的层将热量从所述第一组件传至所述第二组件。
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