[发明专利]一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法

权利要求书

1.一种基于激光直写钼片制备的碳化钼纳米微阵列，其特征在于，所述碳化钼纳米微阵列为线阵列、孔阵列、圆阵列、柱阵列、多边形阵列、图案阵列或字符阵列中的一种或多种；碳化钼的相为Mo_xC，x为实数且0＜x≤3；

所述碳化钼纳米微阵列的制备方法为：

以钼片为基材，向基材上添加碳源，采用激光直写对基材表面进行加工得到碳化钼纳米微阵列；所述碳源选甲烷、二氰二胺、葡萄糖中的一种或多种；激光功率为0.1 ~1000W，激光重复频率为20~2000 KHz，激光扫描速度为500~10⁴ mm/s；激光器中心波长为1064nm。

2.根据权利要求1所述的碳化钼纳米微阵列，其特征在于，所述钼片为纯度在90 %以上的工业纯钼。

3.根据权利要求1所述的碳化钼纳米微阵列，其特征在于，所述柱阵列的柱直径为1 nm~ 1 cm，柱间距为1 nm ~ 10 cm，柱高度为1 nm ~ 500 μm。

4. 根据权利要求1所述的碳化钼纳米微阵列，其特征在于，所述孔阵列的孔直径为1nm ~ 1 cm，孔间距为1 nm ~ 10 cm。

5.根据权利要求1所述的碳化钼纳米微阵列，其特征在于，所述线阵列的线宽为1 nm ~1 mm，线间距为1 nm ~ 10 cm。

6.权利要求1~5任一项所述的碳化钼微阵列在电催化产氢中的应用。