[发明专利]片式压敏电阻的制造方法及片式压敏电阻有效
申请号: | 202110398939.8 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113539592B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 后藤智史;吉田尚义;簗田壮司;小柳健;铃木大希;加贺谷信;内田雅幸;今井悠介 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01C7/105 | 分类号: | H01C7/105;H01C1/14;H01C17/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压敏电阻 制造 方法 | ||
片式压敏电阻具备表现压敏电阻特性的素体、包含第一导电材料的内部电极、以及包含第二导电材料的中间导体。中间导体在内部电极相互相对的方向上与内部电极分离,且配置于内部电极之间。中间导体的至少一部分在内部电极相互相对的方向上与内部电极重叠。素体包括在内部电极相互相对的方向上位于内部电极之间且扩散有第二导电材料的低电阻化区域。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种片式压敏电阻的制造方法。本发明的另一个方式涉及一种片式压敏电阻。
背景技术
已知一种具备表现压敏电阻特性的素体、和以相互相对的方式配置于素体内的第一及第二内部电极的片式压敏电阻(例如,参照日本特开2007-13215号公报)。日本特开2007-13215号公报也公开了片式压敏电阻的制造方法。
发明内容
在片式压敏电阻中,要求相对于静电放电(Electro Static Discharge:ESD)的耐量(以下称为“ESD耐量”)的提高。ESD耐量提高的片式压敏电阻被用作电子电路的有效保护元件,例如,使基于近年来的以太网(注册商标)规格的高速通信网络系统稳定地动作。
本发明的一个方式的目的在于提供一种ESD耐量提高的片式压敏电阻的制造方法。本发明的另一个方式的目的在于提供一种ESD耐量提高的片式压敏电阻。
一个方式的片式压敏电阻的制造方法包括:准备成为表现压敏电阻特性的素体的生坯的过程;以及对生坯进行烧成的过程。在准备生坯的过程中,作为生坯,准备如下生坯,在其内部形成有包含第一导电材料的第一及第二内部电极图案、和包含与第一导电材料不同的第二导电材料的中间导体图案。第一及第二内部电极图案以相互相对的方式形成。中间导体图案以在第一及第二内部电极图案相互相对的方向上与第一及第二内部电极图案分离,且中间导体图案的至少一部分位于第一及第二内部电极图案之间的方式形成。在对生坯进行烧成的过程中,在生坯成为素体,第一及第二内部电极图案成为包含第一导电材料的第一及第二内部电极,中间导体图案成为包含第二导电材料的中间导体时,中间导体图案中所含的第二导电材料扩散到生坯,形成扩散有第二导电材料的低电阻化区域。
根据上述一个方式,获得素体具有在第一及第二内部电极相互相对的方向上位于第一及第二内部电极之间且扩散有中间导体图案中所含的第二导电材料的区域的片式压敏电阻。在获得的片式压敏电阻中,扩散有中间导体图案中所含的第二导电材料的所述区域比未扩散该第二导电材料的区域低电阻化。因此,在获得的片式压敏电阻中,ESD耐量提高。
在上述一个方式中,也可以是,中间导体图案的至少一部分的面积相对于在第一及第二内部电极图案相互相对的方向上第一内部电极图案和第二内部电极图案相互重叠的区域的面积的比例为0.5~1.0。
在所述比例为0.5~1.0的情况下,在第一及第二内部电极相互相对的方向上位于第一及第二内部电极之间的上述区域中,可靠地扩散有中间导体图案中所含的第二导电材料。因此,在获得的片式压敏电阻中,ESD耐量可靠地提高。
另一个方式的片式压敏电阻包括:素体,其表现压敏电阻特性;第一及第二内部电极,它们包含第一导电材料;以及中间导体,其包含与第一导电材料不同的第二导电材料。第一及第二内部电极以相互相对的方式配置于素体内。中间导体在第一及第二内部电极相互相对的方向上与第一及第二内部电极分离,且配置于第一及第二内部电极之间。中间导体的至少一部分在第一及第二内部电极相互相对的方向上与第一及第二内部电极重叠。素体包括在第一及第二内部电极相互相对的方向上位于第一及第二内部电极之间且扩散有第二导电材料的区域。扩散有第二导电材料的区域比未扩散第二导电材料的区域低电阻化。
根据上述另一个方式,扩散有第二导电材料的上述区域比未扩散该第二导电材料的区域低电阻化。因此,在上述另一个方式中,ESD耐量提高。
在上述另一个方式中,也可以是,中间导体的至少一部分的面积相对于在第一及第二内部电极相互相对的方向上第一内部电极和第二内部电极相互重叠的区域的面积的比例为0.5~1.0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110398939.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。