[发明专利]一种显示基板及显示装置在审
申请号: | 202110400330.X | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113097285A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 任怀森;夏维;卢辉;侯鹏;王彦强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G06F3/041;G06F3/044;G06K9/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板及显示装置,其中,所述显示基板包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区和包围所述显示区的非显示区;所述显示区包括发光功能层,所述显示基板还包括设置在所述发光功能层上的封装层,所述封装层背离所述衬底基板的一侧设置有至少两层金属膜层,所述至少两层金属膜层在所述显示区具有触控功能的图案以及具有指纹识别功能的图案,且所述至少两层金属膜层在所述非显示区构成了具有近场通讯功能的线圈。用于实现对触控功能、指纹识别功能及近场通讯功能的有效集成。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
近场通信(Near Field Communication,NFC)是一种短距离的高频无线通信技术,具体是由非接触式射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)及无线互连互通技术研发而成,其中,临近电磁场的无线电波(即电磁波)遵循麦克斯韦方程,电场和磁场在发射天线和接收天线之间交替地进行能量转换,从而能够实现设备的电子支付、数据转换、门禁、防伪等功能。
如何在不增加工序的前提下,实现对近场通信功能的有效集成就变得十分重要。
发明内容
本发明提供了一种显示基板及显示装置,用于实现对触控功能、指纹识别功能及近场通讯功能的有效集成。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和包围所述显示区的非显示区;
所述显示区包括发光功能层,所述显示基板还包括设置在所述发光功能层上的封装层,所述封装层背离所述衬底基板的一侧设置有至少两层金属膜层,所述至少两层金属膜层在所述显示区具有触控功能的图案以及具有指纹识别功能的图案,且所述至少两层金属膜层在所述非显示区构成了具有近场通讯功能的线圈。
在一种可能的实现方式中,所述至少两层金属膜层包括依次背离所述衬底基板的第一金属膜层和第二金属膜层,所述第一金属膜层和所述第二金属膜层在所述显示区同时构成交错排布的所述具有触控功能的图案和所述具有指纹识别功能的图案,所述第一金属膜层和所述第二金属膜层在所述非显示区构成层叠设置的两层所述线圈。
在一种可能的实现方式中,所述显示基板还包括位于所述第一金属膜层和所述第二金属膜层之间的第一绝缘层,层叠设置的两层所述线圈通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔耦接。
在一种可能的实现方式中,所述第一金属膜层在所述非显示区具有与所述具有触控功能的图案耦接的触控引线,位于所述第一金属膜层的线圈在与所述触控引线相交的位置断开设置。
在一种可能的实现方式中,所述第一金属膜层在所述非显示区具有与位于所述第二金属膜层的线圈端部耦接的连接引线,位于所述第一金属膜层的线圈在与所述连接引线相交的位置断开设置。
在一种可能的实现方式中,所述第二金属膜层在所述非显示区具有与所述触控引线连接第一绑定电极,以及与所述连接引线连接第二绑定电极,所述第一绑定电极和所述第二绑定电极分别位于两个区域。
在一种可能的实现方式中,所述至少两层金属膜层包括依次背离所述衬底基板的第三金属膜层、第四金属膜层、第五金属膜层和第六金属膜层在内的四层金属膜层,所述第三金属膜层和所述第四金属膜层在所述显示区构成所述具有触控功能的图案,所述第五金属膜层和所述第六金属膜层在所述显示区构成所述具有指纹识别功能的图案,所述第三金属膜层、所述第四金属膜层、所述第五金属膜层和所述第六金属膜层在所述非显示区构成层叠设置的四层所述线圈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的