[发明专利]一种光学微纳结构的制备方法

权利要求书

1.一种光学微纳结构的制备方法，其特征在于，包括：

获取异质复合衬底；所述异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；所述薄膜层由硅材料制成；

对所述异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；所述光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，所述损伤层位于所述薄膜层；

对所述光学微纳结构进行退火处理，于所述损伤层的位置处形成二氧化硅层；所述二氧化硅层的厚度大于所述损伤层的厚度；

去除所述二氧化硅层，使得所述损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取异质复合衬底之后，所述对所述异质复合衬底进行离子束切割之前，还包括：

于所述薄膜层的表面形成保护层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述异质复合衬底进行离子束切割之后，所述对所述光学微纳结构进行退火处理之前，还包括：

将离子束切割后的异质复合衬底与保护层置于腐蚀溶液中以去除所述保护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层由金属材料制成；

所述金属材料包括铬、镍、钛和金中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层由非金属材料制成；

所述非金属材料包括氧化硅、氮化硅、氧化钛和氧化铝中至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅材料为硅或者碳化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子束为镓离子束、硅离子束、氦离子束和硼离子束中的任一种；

所述离子束的能量为1～100keV；所述离子束的束流为0.1pA～100nA。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火温度范围为200～1300摄氏度；

所述退火气氛为氩气、氮气、氧气和大气气氛中的至少一种。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述腐蚀溶液包括氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光学微纳结构为微环、微盘、光波导和光子晶体中任一种结构。