[发明专利]有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202110401379.7 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113192982A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 郑智琳;唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 阵列 及其 制备 方法 | ||
本申请实施例公开了一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法,包括衬底层、第一绝缘层、第一金属层、层间绝缘层、第二金属层和第二绝缘层。其中,第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层。第一金属子层化学性质稳定,具备耐聚酰亚胺和反射金属蚀刻液腐蚀以及耐高温的特性,且导电性能良好。第二金属子层靠近第一绝缘层的一面具备良好的粘附性,不会产生膜层相互剥离的现象,且导电性能良好。因此,采用第一金属层来作为搭接金属,可以将外部信号经第二金属层传入阵列基板内部。而且第一金属层是通过一道光罩制程形成位于薄膜晶体管区的第一部分和位于焊盘区的第二部分,从而可以节省一道光罩,达到降低成本的效果。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法。
背景技术
目前,在大尺寸有机发光显示器中,为减少走线阻抗,背板一般采用金属铜作为金属走线。在顶栅薄膜晶体管中,通常将竖直方向上层间距离较远的遮光(Line Shied,LS)层和源漏极层作为金属走线用于信号传输,栅极层不作为走线。
其中,在顶发光大尺寸有机发光显示器中,背板一般采用反射金属层和氧化铟锡的层叠膜层。反射金属层的材料一般是银或铝,当然反射金属层的材料也可以采用其他反射率较高的反射金属。但是,其一,金属走线采用的铜稳定性差,暴露在外部环境时容易氧化,而且反射金属的蚀刻液对于铜有严重腐蚀;其二,反射金属层稳定性也不佳。因此金属走线和阳极都不能达到焊盘区引脚的可靠性需求。
因此,现有面板厂家一般在源漏极层上制作一层引脚层,引脚层的材料为耐铝酸或银酸的金属或氧化物,且引脚层采用的材料化学性质稳定。但是这样会增加一道光罩制程,从而增加成本。
因此,怎么在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层是现有面板厂家需要努力攻克的难关。
发明内容
本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法,可以解决现有的有机发光显示面板无法在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层的技术问题。
本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板,包括薄膜晶体管区和焊盘区,所述有机发光显示器件的阵列基板包括:
衬底层,所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述第一面上;
第一金属层,所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层,其中,所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上,所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上,所述第一金属层部分位于所述焊盘区;
层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述第一金属层远离所述衬底层的一面上,且覆盖所述第一金属层,且所述层间绝缘层上设置有第一通孔,所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层;
第二金属层,所述第二金属层设置在所述层间绝缘层远离所述衬底层的一面上,且经所述第一通孔与所述第一金属层连接,所述第二金属层部分位于所述焊盘区;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第二金属层远离所述衬底层的一面上,且覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设置有第二通孔,所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层,以使所述第一金属层裸露。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一金属层还包括第三金属子层,所述第三金属子层设置在所述第一金属子层和所述第二金属子层之间。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一金属层还包括粘接层,所述粘接层设置在所述第一金属子层靠近所述第一绝缘层的一面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的