[发明专利]二氧化锡氧化物薄膜及制备方法与其在检测氢气中的应用有效
| 申请号： | 202110402049.X | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113136547B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 宋安刚;朱地;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 氧化物 薄膜 制备 方法 与其 检测 氢气 中的 应用 | ||
1.一种二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是，利用远源等离子体溅射将锡制成沉积态二氧化锡薄膜，然后进行退火处理获得金红石相二氧化锡薄膜；
所述二氧化锡氧化物薄膜，室温条件下，通入氢气前的电阻为80～100Ω，通入氢气后的电阻为50～70Ω；
远源等离子体溅射中，溅射腔体内的压力为2～5×10-3mbar；溅射速度为10～50nm/min，溅射时间为10～20min；溅射温度为20～50℃，衬底的温度为常温。
2.如权利要求1所述的二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是，通入氢气前的电阻为80～85Ω；通入氢气后的电阻为65～70Ω。
3.如权利要求1所述的二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是，所述退火温度为300～500℃。
4.如权利要求1所述的二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是，远源等离子体溅射中，氧气为反应气体，氧气流速为1～10sccm。
5.如权利要求1所述的二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是远源等离子体溅射中，氩气为等离子体气源，氩气流速为50～100sccm。
6.如权利要求1所述的二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是，远源等离子体溅射中，离子体发射源功率为300～500W。
7.如权利要求1所述的二氧化锡氧化物薄膜的制备方法，其特征是远源等离子体溅射中，靶材加速偏压功率为50～100W。
8.一种权利要求1～7任一所述的制备方法获得的二氧化锡氧化物薄膜在检测氢气中的应用。
9.一种氢气气敏传感器，其特征是，包括气敏元件和固定架，气敏元件安装在固定架上，所述气敏元件为权利要求1～7任一所述的制备方法获得的二氧化锡氧化物薄膜。
10.一种氢气的检测方法，其特征是，将含有氢气的待测气体通过权利要求1～7任一所述的制备方法获得的二氧化锡氧化物薄膜，检测二氧化锡氧化物薄膜的电阻变化。
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