[发明专利]一种多环芳族系化合物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110402169.X 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113135935B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 马晓宇;韩文坤;张宇;张鹤;黄悦;张雪;汪康 申请(专利权)人: 吉林奥来德光电材料股份有限公司
主分类号: C07D495/16 分类号: C07D495/16;C07F5/02;C07F7/08;C09K11/06;H10K50/11;H10K85/60
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 赵徐平
地址: 130012 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 多环芳族系 化合物 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种多环芳族系化合物,其特征在于,结构通式如化学式II所示:

其中,所述化学式II中,Y选自B;

X1和X2各自独立的选自N-R1;

X3为直接键合;X4选自O、S、N-Ra、CRbRc或SiRdRe;

Z选自CR6;

所述R1选自经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基;

所述Ra-Re各自独立的选自氘、未取代的C1-C30烷基、未取代的芳基;

R6选自氢、氘、未取代的烷基、未取代的芳基或如化学式III所示的基团,且,所述R6任选地与彼此键合或与其相邻取代基连接;

R6中至少有一个为如化学式III所示的基团;

其中,表示键结位置;

所述D环和E环各自独立的选自经取代或未取代的芳基、经取代或未取代的杂芳基,

且D环和E环中至少有一个为经取代或未取代的杂芳基,

所述L选自直接键;

所述n为0-3的整数;

所述术语“经取代”表示经选自以下的一个或更多个取代基取代,取代基选自氘、氰基、卤素基、碳数为1-30的烷基;

所述芳基分别独立选自苯基、萘基、蒽基、菲基、萘并萘基、芘基、苝基、茚基、苊基、三亚苯基、二甲基芴基、苯并二甲基芴基、二苯基芴基、苯并二苯基芴基、苯基芴基、螺芴基、苯并螺芴基、联苯基、对三联苯基、间三联苯基中任意一种;

所述杂芳基分别独立的选自噻吩基、呋喃基、吡咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、咪唑基、咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡啶基、萘啶基、吖啶基、哒嗪基、吩噻嗪基、苯恶嗪基、联吡啶基、嘧啶基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、吡嗪基、三嗪基、二唑基、三唑基、恶唑基、噻唑基、恶二唑基、噻二唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、酞嗪基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、菲咯啉基、苯并恶嗪基、苯并噻嗪基、氮杂咔唑基、氮杂二甲基芴基、氮杂二苯基芴基、氮杂苯并二甲基芴基、氮杂苯并二苯基芴基、氮杂螺芴基、氮杂苯并螺芴基中任意一个。

2.一种多环芳族系化合物,其特征在于,所述化合物为以下具体结构:

3.一种如权利要求1所述的多环芳族系化合物的制备方法,其特征在于,所述化学式II合成路径如下:

具体制备方法为:

在氮气氛围下,将中间体A和无水叔丁基苯置于反应瓶中,在-78℃下,将叔丁基锂的戊烷溶液滴加反应体系中,滴加完毕后,缓慢升温至70~80℃,继续搅拌2~5h,随后降温至-30~-40℃,逐滴滴加三溴化硼,升温至室温,继续搅拌0.5~2h后,向反应体系中滴加N,N-二异丙基乙胺,升温至120~160℃继续反应3~8h,监测反应完毕后,冷却至室温,向反应混合物中滴加饱和碳酸氢钠水溶液,并用乙酸乙酯萃取得有机层,将有机层浓缩并通过柱层析色谱法纯化以得到化学式II;

其中,所述中间体A为中间体II-I。

4.根据权利要求3所述的一种多环芳族系化合物的制备方法,其特征在于,所述中间体A、叔丁基锂的戊烷溶液、三溴化硼以及N,N-二异丙基乙胺的当量比为1:(5-10):(3-6):(8-12)。

5.根据权利要求4所述的一种多环芳族系化合物的制备方法,其特征在于,所述柱层析色谱法中洗脱剂为乙酸乙酯和石油醚;所述乙酸乙酯和石油醚的体积比为:1:(10-20)。

6.一种如权利要求1所述多环芳族系化合物在制备发光材料中的应用,其特征在于,所述发光材料包括权利要求1所述多环芳族系化合物和荧光主体材料,且所述荧光主体材料与所述多环芳族系化合物的重量比为95:5至98:2。

7.一种如权利要求1所述多环芳族系化合物在制备有机电致发光器件中的应用,其特征在于,所述有机电致发光器件包括第一电极,第二电极,以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,所述发光层至少设置有一层,且至少一个层包括权利要求1所述的化合物。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林奥来德光电材料股份有限公司,未经吉林奥来德光电材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110402169.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top