[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置

说明书

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层。所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度。所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

量子点是一种重要的荧光纳米材料。在显示领域，将量子点作为显示设备的发光层材料，越来越受到关注。

目前量子点显示设备存在电子和空穴注入不平衡的问题，影响量子点显示设备的器件效率和使用寿命。

发明内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层；

所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；

所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。

在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。

在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm；和/或，

所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。

在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm；和/或，

所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm。

在一个实施例中，所述第一量子点发光层中的量子点及所述第二量子点发光层中的量子点分别包括核壳结构，所述核壳结构的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPbI₃/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPbI₃/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一种。

在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm；所述第二量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm。

在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的材料与所述第二量子点发光层中量子点的材料相同或不同；和/或，

所述第一量子点发光层中量子点的尺寸与所述第二量子点发光层中量子点的尺寸相同或不同。

在一个实施例中，所述发光器件层还包括电子传输层和空穴传输层；

所述发光器件层为多电子体系，所述电子传输层位于所述第二量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述电子传输层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第二量子点发光层与所述阳极层之间。