[发明专利]一种多通道压力测量单元及压力测量装置

权利要求书

1.一种压力测量单元，其特征在于，包括：

压力传感器芯片、温度敏感芯片、互连衬底、陶瓷封装衬底；

其中，所述压力传感器芯片与所述温度敏感芯片分别粘结于所述互连衬底上，且所述压力传感器芯片与所述温度敏感芯片相邻设置，所述互连衬底粘接在所述陶瓷封装衬底上，所述互连衬底的材质采用与所述压力传感器芯片和所述温度敏感芯片相同的材质；

所述互连衬底上开设有与所述压力传感器芯片对应的第一导气通道、以及与所述温度敏感芯片对应的第二导气通道；

所述陶瓷封装衬底上开设有与所述第一导气孔对应的第三导气通道、以及与所述第二导气通道对应的第四导气通道；

通过所述第四导气通道通入参考压，作用于所述压力传感器芯片的正面，通过所述第三导气通道通入测试压，作用于所述压力传感器芯片的背面，以在所述压力传感器芯片的正面与背面之间形成压力差。

2.如权利要求1所述的压力测量单元，其特征在于，还包括：

在所述陶瓷封装衬底底端与所述第三导气通道连接有第一金属管，所述第一金属管连接第一接入软管，所述第一接入软管用于通入所述参考压；

在所述陶瓷封装衬底底端与所述第四导气通道连接有第二金属管，所述第二金属管连接第二接入软管，用于通入测试压。

3.如权利要求1所述的压力测量单元，其特征在于，还包括：密封盖，罩设于所述陶瓷封装衬底上，且包覆所述压力传感器芯片、所述温度敏感芯片以及所述互连衬底。

4.如权利要求1所述的压力测量单元，其特征在于，所述互连衬底具体为如下任意一种：

TSV互连衬底、TGV互连衬底。

5.如权利要求1所述的压力测量单元，其特征在于，所述压力传感器芯片和所述温度敏感芯片均为差压式压阻MEMS芯片或绝压式压阻MEMS芯片。

6.如权利要求5所述的压力测量单元，其特征在于，在所述压力传感器芯片和所述温度敏感芯片均为差压式压阻MEMS芯片时，所述差压式压阻MEMS芯片包括：

由下至上的第一硅衬底、第一钝化层，所述第一硅衬底上开设第一背腔结构；

所述第一钝化层上设置有第一电极，位于所述第一钝化层内部的第一压阻结构。

7.如权利要求6所述的压力测量单元，其特征在于，所述差压式压阻MEMS芯片的所述第一硅衬底通过密封粘结材料粘结于所述互连衬底上。

8.如权利要求5所述的压力测量单元，其特征在于，在所述压力传感器芯片和所述温度敏感芯片均为绝压式压阻MEMS芯片时，所述绝压式压阻MEMS芯片包括：

由下至上的第二钝化层、第二硅衬底以及第三硅衬底，所述第二硅衬底开设第二背腔结构，所述第三硅衬底用于密封所述第二背腔结构；

所述第二钝化层上设置有第二电极，位于所述第二钝化层内部的第二压阻结构。

9.如权利要求8所述的压力测量单元，其特征在于，所述绝压式压阻MEMS芯片的所述第二钝化层通过密封环与所述互连衬底连接。

10.一种压力测量装置，其特征在于，包括：

第一基板、第二基板、多个如权利要求1-9中任一权项所述的压力测量单元、运算放大器、模数转换单元、处理器；

每个压力测量单元分别通过双列直插式的电极引脚焊接于所述第一基板上；

所述第一基板下方通过板间电互连结构连接所述第二基板；

所述运算放大器、所述模数转换单元以及所述处理器均集成在所述第二基板上，且所述运算放大器、所述模数转换单元以及所述处理器依次连接。