[发明专利]晶圆烘干槽、晶圆烘干方法和晶圆烘干装置

说明书

本申请涉及晶圆烘干设备技术领域，提供了一种晶圆烘干槽、晶圆烘干方法和晶圆烘干装置，用于对晶圆进行烘干。晶圆烘干槽包括：槽体；管道系统，管道系统用于朝向槽体内的不同方向通入气体，以在槽体内交汇形成混合气流场。本申请将多个晶圆置于槽体内，通过管道系统从多个方向朝向槽体内通入气体，可以在槽体内形成混合气流场，混合气流场是流动的，因此，在槽体内形成的烘干区域能够覆盖整个晶圆尺寸范围，以保证晶圆表面的洁净度。

技术领域

本申请属于晶圆干燥技术领域，具体而言，涉及晶圆烘干槽、晶圆烘干方法和晶圆烘干装置。

背景技术

在相关技术中，在半导体行业，晶圆干燥工序是必不可少的，不仅需要做到将晶圆表面烘干，还要保证晶圆表面的洁净度。目前行业里发展出多种晶圆干燥设备，但这些设备对于晶圆的烘干区域没有做区分或针对性设计，导致烘干区域很难覆盖整个晶圆尺寸范围。

发明内容

根据本发明的实施例旨在解决或改善上述技术问题。

根据本发明的实施例的第一目的在于提供一种硅晶烘干槽。

根据本发明的实施例的第二目的在于提供一种晶圆烘干方法。

根据本发明的实施例的第三目的在于提供一种晶圆烘干装置。

为实现根据本发明的实施例的第一目的，本发明的技术方案提供了一种晶圆烘干槽，用于对晶圆进行烘干，晶圆烘干槽包括：槽体，其内适于放置多个晶圆；管道系统，管道系统用于朝向槽体内的不同方向通入气体，以在槽体内交汇形成混合气流场。

在该技术方案中，将多个晶圆置于槽体内，通过管道系统从多个方向朝向槽体内通入气体，例如氮气，可以在槽体内形成混合气流场，混合气流场是流动的，因此，在槽体内形成的烘干区域能够覆盖整个晶圆尺寸范围，以保证晶圆表面的洁净度。

另外，根据本发明的实施例提供的技术方案还可以具有如下附加技术特征：

上述技术方案中，管道系统包括：上部吹气管，位于槽体的顶部，上部吹气管用于向下喷出第一气体；下部吹气管，位于槽体内的侧面，下部吹气管用于水平喷出第二气体；第一出风口，位于槽体的底部；

其中，第一气体、第二气体在槽体内交汇且部分气体通过第一出风口排出槽体，形成竖直气流场。

在该技术方案中，进入上部吹气管内的加热气体从竖直方向吹向晶圆。进入下部吹气管内的加热气体从水平方向或近似水平方向吹向晶圆。通过上部吹气管与下部吹气管的结合使用，可以形成由从上至下的气流、水平方向的气流和倾斜向下的气流形成的多向气流场，能够覆盖多个晶圆和载具的尺寸范围。流经晶圆的加热气体在第一出风口的作用下进入风道腔室排走，使得不断进入烘干腔内的加热气体能够持续对晶圆进行加热烘干，并及时带走烘干腔内的水分，最终达到烘干全部晶圆的目的。

上述任一技术方案中，下部吹气管至少设置为两个，两个下部吹气管对设在槽体的侧部；具体的，可以设置下部吹气管的高度不大于槽体内的晶圆的高度，以使第一气体、第二气体在多个晶圆的间隙处交汇。当然，也可以设置下部吹气管的出气口朝向，使第一气体、第二气体在多个晶圆的间隙处交汇，此时可以不要求下部吹气管的高度与槽体内晶圆的高度差，优选为下部吹气管的高度低于槽体内晶圆中心处的高度，以便对晶圆水平与底部之间的侧面进行有效的烘干。