[发明专利]包括顶侧冷却接口的功率放大器模块及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造功率放大器模块(PAM)的方法，其特征在于，所述方法包括：

获得射频(RF)功率管芯，所述RF功率管芯包括前侧、后侧以及所述RF功率管芯的所述前侧上的前侧输入/输出(I/O)接口；

将所述RF功率管芯附接到模块基板的管芯支撑表面，所述RF功率管芯以倒置定向附接到所述模块基板，使得所述RF功率管芯的所述前侧面向所述模块基板；

当将所述RF功率管芯附接到所述模块基板时，将所述RF功率管芯的所述前侧I/O接口电耦合到所述模块基板的相应互连特征；以及

提供主要热量提取路径，所述主要热量提取路径在与所述模块基板相对的方向上从所述RF功率管芯的所述后侧延伸到所述PAM的顶侧冷却接口。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括将顶侧热延伸部键合到所述RF功率管芯的所述后侧，所述主要热量提取路径延伸穿过所述顶侧热延伸部。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述顶侧热延伸部包括具有超过100瓦每米开尔文的导热率的预制主体；并且

其中键合包括使用导热键合材料将所述顶侧热延伸部键合到所述RF功率管芯的所述后侧。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，另外包括形成包封所述RF功率管芯、外围围绕所述顶侧热延伸部并接触所述模块基板的模制模块主体。

5.一种用于制造多个功率放大模块(PAM)的方法，其特征在于，所述方法包括：

将射频(RF)功率管芯的后侧键合到包含多个互连的顶侧热延伸部的热延伸部面板；

在键合之后，分离所述热延伸部面板以产生部分制造的PAM，每个PAM包含键合到分离的顶侧热延伸部的至少一个RF功率管芯；

在分离所述热延伸部面板之后，将所述部分制造的PAM附接到包含多个互连模块基板的基板面板，使得每个模块基板具有附接到其上的至少一个部分制造的PAM；

当将所述RF功率管芯附接到所述基板面板时，将所述RF功率管芯的前侧输入/输出(I/O)接口电耦合到所述多个互连模块基板的相应基板互连特征；以及

在将所述部分制造的PAM附接到所述基板面板之后，进一步分离所述基板面板以产生多个PAM，每个PAM包括至少一个RF功率管芯、与所述至少一个RF功率管芯电耦合的分离的模块基板以及与所述模块基板相对的分离的顶侧热延伸部。

6.一种功率放大器模块(PAM)，其特征在于，包括：

顶侧；

底侧，其如沿着延伸穿过所述功率放大器模块的中心线所示的与所述顶侧相对；

射频(RF)功率管芯，其位于沿着所述中心线所示的所述顶侧与所述底侧之间，所述RF功率管芯具有前侧、后侧以及所述前侧上的前侧输入/输出(I/O)接口；

模块基板，所述RF功率管芯以倒置定向安装到所述RF模块基板，使得所述RF功率管芯的所述前侧面向所述模块基板，所述模块基板具有电耦合到所述RF功率管芯的所述I/O接口的基板互连特征；

顶侧冷却接口，其与所述PAM的所述顶侧基本共面；以及

主要热量提取路径，所述主要热量提取路径在与所述模块基板相对的方向上从所述RF功率管芯的所述后侧延伸到所述PAM的所述顶侧冷却接口。

7.根据权利要求6所述的PAM，其特征在于，另外包括顶侧热延伸部，所述顶侧热延伸部具有至少部分地限定所述PAM的所述顶侧冷却接口的上表面，以及与所述RF功率管芯的所述后侧直接热接触的下表面。

8.根据权利要求7所述PAM，其特征在于，另外包括围绕所述RF功率管芯、外围围绕所述顶侧热延伸部并接触所述模块基板的模制模块主体；

其中所述顶侧热延伸部在与所述模块基板相对的方向上从邻近所述RF功率管芯的位置延伸以破坏所述模制模块主体的上表面。

9.根据权利要求7所述的PAM，其特征在于，所述RF功率管芯另外包括场效应器晶体管，所述场效应器晶体管具有通过所述顶侧热延伸部电耦合到所述模块基板的导电互连特征的源极端。

10.根据权利要求6所述的PAM，其特征在于，所述RF功率管芯另外包括场效应晶体管，所述场效应晶体管具有漏极歧管、栅极歧管、位于所述漏极歧管与所述栅极歧管之间的叉指形触点线阵列以及邻近所述叉指形触点线阵列的多个源极触点；

其中所述漏极歧管、所述栅极歧管和所述多个源极触点各自耦合到设置在所述RF功率管芯的所述前侧I/O接口中的端。